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HB56U272E-5

产品描述EDO DRAM Module, 2MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小405KB,共28页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56U272E-5概述

EDO DRAM Module, 2MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

HB56U272E-5规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.073 A
最大压摆率1.054 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HB56U272E Series
2,097,152-word
×
72-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-713A (Z)
Rev. 1.0
Jan. 27, 1997
Description
The HB56U272E belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been developed
as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications. The HB56U272E is a 2M
×
72 dynamic RAM module, mounted 9 pieces of 16-Mbit DRAM (HM5117805) sealed in TSOP package
and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74ABT16244) sealed in TSSOP package. The HB56U272E
offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56U272E
is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56U272E makes high density mounting
possible without surface mount technology. The HB56U272E provides common data inputs and outputs.
Decoupling capacitors are mounted on the module board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
Outline: 133.35 mm (Length)
×
25.40 mm (Height)
×
4.00 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 50/60/70 ns (max)
t
CAC
= 18/20/23 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 5.53/5.06/4.59 W (max)
Standby mode (TTL): 431 mW (max)
(CMOS): 383 mW (max)
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM
EDO page mode capability
2,048 refresh cycles: 32 ms
2 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
TTL compatible

HB56U272E-5相似产品对比

HB56U272E-5 HB56U272E-6 HB56U272E-7
描述 EDO DRAM Module, 2MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 2MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX72 2MX72 2MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
自我刷新 NO NO NO
最大待机电流 0.073 A 0.073 A 0.073 A
最大压摆率 1.054 mA 0.964 mA 0.874 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) -

 
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