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BCW31-L99Z

产品描述500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共2页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

BCW31-L99Z概述

500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BCW31-L99Z规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量4 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1

BCW31-L99Z相似产品对比

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描述 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 4 pF 4 pF 4 pF 4 pF 4 pF 4 pF 4 pF 4 pF 4 pF
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 110 420 200 200 420 200 110 420 110
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
VCEsat-Max 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - -
厂商名称 - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
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