电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

309URA160P3PBF

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

309URA160P3PBF概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

309URA160P3PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明O-CUPM-X1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
应用HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-205AB
JESD-30 代码O-CUPM-X1
最大非重复峰值正向电流8640 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度180 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流330 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1600 V
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Bulletin I2032 rev. A 12/94
301U(R) SERIES
STANDARD RECOVERY DIODES
Stud Version
Features
Wide current range
High voltage ratings up to 2500V
High surge current capabilities
Stud cathode and stud anode version
300A
TypicalApplications
Converters
Power supplies
Machine tool controls
High power drives
Medium traction applications
Major Ratings and Characteristics
301U(R)
Parameters
I
F(AV)
@ T
C
I
F(RMS)
I
FSM
@ 50Hz
@ 60Hz
I
2
t
@ 50Hz
@ 60Hz
V
RRM
range
T
J
80 to 200
330
120
520
8250
8640
340
311
800 to 2000
- 40 to 180
250
300
120
470
6050
6335
183
167
2500
- 40 to 180
Units
A
°C
A
A
A
KA
2
s
KA
2
s
V
°C
case style
DO-205AB (DO-9)
www.irf.com
1
求教vxworks
本人刚进公司,被分到做vxworks软件,原来没有接触过vxworks,所以也不是很了解,请各位帮忙讲解一下,主要是vxworks是做什么的,它的应用平台,当前形势,以及怎么去学,主要按那个方向去学习 ......
卐葉子紛飛♂ 实时操作系统RTOS
数据传递类指令
  数据传递类指令 (3)以直接地址为目的操作数的指令 MOV direct,A 例: MOV 20H,A MOV direct,Rn MOV 20H,R1 MOV direct1,direct2 MOV 20H,30H MOV direct,@Ri MOV 20H,@R1 MOV direc ......
yuandayuan6999 单片机
ARM2410开发矩阵键盘问题!
我在编译矩阵键盘驱动程序时,出现以下错误信息,始终找不到答案,请各位帮忙! c:\wince420\pbworkplace\smdk2410\iicdev\i2cdev-keyboard.cpp(11) : fatal error C1083: Cannot open include ......
widb ARM技术
干扰产生的后果
各种干扰一旦侵入单片机应用系统,将使系统无法正常运行,甚至造成重大损失。干扰产生的后果,归纳起来,可概括为如下几个方面: 1、数据采集误差的加大 当干扰侵入单片机系统的前向通 ......
soso 单片机
Cortex-M0为什么需要版权税
请教各位大侠,在一篇关于兆易创新的创始人朱一明说的话:Cortex-M0需要版权税。这是什么意思?为什么需要?万谢! ...
william_linchen stm32/stm8
FPGA中如何调用嵌入式乘法器硬核?
FPGA中调用乘法器,直接可以用语言调用,例如 VERILOG a=bXC; VHDL a=b*c; 也可以直接调用IP CORE ,把需要的乘数和被乘数作为参数传递进去,即可。 但是有一点,需要注意的是: 该 ......
eeleader-mcu FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1203  1438  341  623  1817  31  49  27  54  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved