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BCF30TR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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BCF30TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BCF30TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性LOW NOISE
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)215
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1
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