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IDT71V67803S150PFI

产品描述Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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文件大小507KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V67803S150PFI概述

Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V67803S150PFI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.8 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)150 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.07 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.325 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1
问题描述的很详细,关于fpga配合spi通信
多谢各位了,感觉明明是能力范围内的东西,就是弄不出来。搞了好久了下面介绍一下我的情况:(fpga有本地时钟,sck50M)1、用stm32和fpga通过spi通信。stm32的spi设置正确,spi2-mosi和spi2-sck和spi2-cs波形都正确。2、本来fpga是有工作任务的,但是结果不正确。为了调试,我就写了一个fpga的调试vhdl程序。2.1 调试程序的内容是:在spi-sck的上...
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