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CP388X-BC108-CT

产品描述晶体管 - 双极 (BJT) - 单 25 V 200 mA 600 mW 表面贴装型 模具
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Central Semiconductor
标准
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CP388X-BC108-CT概述

晶体管 - 双极 (BJT) - 单 25 V 200 mA 600 mW 表面贴装型 模具

CP388X-BC108-CT规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Central Semiconductor
包装托盘
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)25 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值600 mW
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳模具
供应商器件封装模具
基本产品编号CP388

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c o m
NPN - Low Noise Transistor Die
CP388X-BC108
The CP388X-BC108 is a silicon NPN transistor designed for low noise amplifier applications.
MECHANICAL SPECIFICATIONS:
Die Size
Die Thickness
Base Bonding Pad Size
Emitter Bonding Pad Size
Top Side Metalization
Back Side Metalization
Scribe Alley Width
Wafer Diameter
BACKSIDE COLLECTOR
R0
13 x 13 MILS
5.9 MILS
3.9 x 3.9 MILS
5.4 x 5.4 MILS
Al-Si – 17,000Å
Au – 9,000Å
1.8 MILS
5 INCHES
102,852
UNITS
V
V
V
mA
°C
UNITS
nA
V
V
0.25
0.6
0.7
1.0
0.55
40
200
240
150
4.5
10
800
500
MHz
pF
dB
0.83
1.05
0.7
0.77
V
V
V
V
V
V
Gross Die Per Wafer
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
TJ, Tstg
MIN
25
5.0
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Operating and Storage Junction Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=25V
BVCEO
IC=2.0mA
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
VBE(ON)
hFE
hFE
hfe
fT
Cob
NF
IE=10μA
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC=2.0mA
IC=10mA
IC=10μA
IC=2.0mA
30
25
5.0
200
-65 to +150
TYP
MAX
15
VCE=5.0V, IC=2.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=0.2mA, RG=2.0kΩ,
f=1.0kHz, BW=200Hz
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