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1N4458R

产品描述二极管 标准型,反极性 800 V 15A 底座,接线柱安装 DO-203AA(DO-4)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小122KB,共3页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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1N4458R概述

二极管 标准型,反极性 800 V 15A 底座,接线柱安装 DO-203AA(DO-4)

1N4458R规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Microchip(微芯科技)
系列Military, MIL-PRF-19500/162
包装散装
二极管类型标准型,反极性
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)800 V
电流 - 平均整流 (Io)15A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.5 V @ 15 A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 µA @ 800 V
安装类型底座,接线柱安装
封装/外壳DO-203AA,DO-4,接线柱
供应商器件封装DO-203AA(DO-4)
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
基本产品编号1N4458

1N4458R文档预览

TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER
Glass Passivated Die
VRRM 200 to 1000 Volts
Qualified per MIL-PRF-19500/162
Glass to Metal Seal Construction
DEVICES
LEVELS
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
JAN
JANTX
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive Reverse Voltage
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
Symbol
Value
200
400
600
800
1000
15
100
4.5
-65°C to 175°C
-65°C to 175°C
Unit
V
RWM
V
Average Forward Current, T
C
= 150°
Peak Surge Forward Current @ t
p
= 8.3ms, half sinewave,
T
C
= 150°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating Case Temperature Range
Storage Temperature Range
I
F
I
FSM
R
θJC
T
j
T
STG
A
A
°C/W
°C
°C
DO-203AA (DO-4)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Forward Voltage
I
FM
= 15A, T
C
= 25°C*
Reverse Current
V
RM
= 200, T
C
= 25°C
V
RM
= 400, T
C
= 25°C
V
RM
= 600, T
C
= 25°C
V
RM
= 800, T
C
= 25°C
V
RM
= 1000, T
C
= 25°C
Reverse Current
V
RM
= 200, T
C
= 150°C
V
RM
= 400, T
C
= 150°C
V
RM
= 600, T
C
= 150°C
V
RM
= 800, T
C
= 150°C
V
RM
= 1000, T
C
= 150°C
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
Symbol
V
FM
Min.
Max.
1.5
Unit
V
I
RM
50
μA
I
RM
500
μA
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%
Note:
T4-LDS-0139 Rev. 1 (091749)
Page 1 of 3
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER
GRAPHS
FIGURE 1
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
FIGURE 3
FORWARD CURRENT DERATING
FIGURE 4
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 2
TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
T4-LDS-0139 Rev. 1 (091749)
Page 2 of 3
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
Symbol
1.
2.
Dimensions are in inches.
Millimeter equivalents are given for general information
only.
3. Angular orientation of this terminal is undefined.
4. Diameter of unthreaded portion .189 inch (4.80 mm)
maximum; .163 inch (4.14 mm) minimum.
5. The A.S.A. thread reference is 10-32UNF2A (unplated).
6. The maximum diameter of plated threads shall be basic
pitch diameter .169 inch (4.29 mm).
7. Unit shall not be damaged by torque of 15 inch-pound
applied to 10-32NF2B nut assembled on thread.
8. Complete threads shall extend to within 2.5 threads of the
seating plane.
9. Terminal end shape is unrestricted.
10. In accordance with ASME Y14.5M, diameters are
equivalent to
φx
symbology.
CD
CD1
CH
G
HF
HT
OAH
SP
SL
T
Dimensions
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
.250
6.35
.424
10.77
.405
10.29
.060
1.52
.424
.437
10.77
11.10
.075
.175
1.91
4.45
.800
20.32
.422
.060
.453
10.72
1.52
11.51
Notes
9
6,7,8
Physical dimensions
T4-LDS-0139 Rev. 1 (091749)
Page 3 of 3

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