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ASI10430

产品描述RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, FM-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小18KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10430概述

RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, FM-4

ASI10430规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压32 V
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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BAM120
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI BAM120
is Designed to
operate in a collector modulated
VHF
Power Amplifier Applications up to 150
MHz
.
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
FEATURES:
• η
C
= 65 % typ. @ 120 W/150 MHz
P
G
= 9.0 dB typ. @ 120 W/150 MHz
Omnigold™
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
12 A
60 V
4.0 V
140 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
1.2 °C/W
1 = COLLECTOR 2 = BASE
3 & 4 = EMITTER
ORDER CODE: ASI10430
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
V
CC
= 27 V
I
C
= 20 mA
I
C
= 50 mA
I
E
= 5.0 mA
V
CE
= 25 V
V
CE
= 27 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
60
32
4.0
UNITS
V
V
V
I
C
= 3.5 A
f = 1.0 MHz
P
OUT
= 120 W
f = 150 MHz
15
240
9.0
65
100
---
pF
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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