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DPS8M624-35M

产品描述SRAM Module, 64KX16, 35ns, CMOS
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文件大小233KB,共7页
制造商B&B Electronics Manufacturing Company
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DPS8M624-35M概述

SRAM Module, 64KX16, 35ns, CMOS

DPS8M624-35M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称B&B Electronics Manufacturing Company
包装说明DIP, DIP40,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-T40
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0024 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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