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FH2164

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, FM-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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FH2164概述

RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, FM-4

FH2164规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置Single
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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FH2164
SILICON N-CHANNEL RF POWER MOSFET
PACKAGE STYLE 400 BAL FLG (B)
MIN:
(In/mm)
.060/1.52
.055/1.40
.124/3.15
.234/6.17
.635/16.13
.665/16.89
.092/.234
.555/14.10
.565/14.35
.739/18.77
.749/19.02
.315/8.00
.002/0.05
.055/1.40
.075/1.91
.245/6.22
MAX:
(In/mm)
.060/1.52
.065/1.65
.124/3.15
.253/6.34
DESCRIPTION:
The
ASI FH2164
is Designed for
Common Source Push Pull RF Power
Applications up to 400 MHz.
A
B
C
D
E
F
G
H
1 = SOURCE = FLANGE,
2 = CHAMFERED
45
LEADS = DRAIN
3 = GATE
O
.092/.234
MAXIMUM RATINGS
I
D
V
DS
P
DISS
4.0 A
50 V
100 W @ T
C
= 25
O
C
I
J
K
L
M
N
.327/8.31
.006/0.15
.065/1.65
.095/2.41
.190/4.83
.257/6.53
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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