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HB56A18A-10A

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30
产品类别存储    存储   
文件大小114KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56A18A-10A概述

Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30

HB56A18A-10A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SIMM
包装说明, SIP30,.2
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-T30
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码SIP30,.2
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度20.574 mm
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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