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W632GG8MB11J

产品描述SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 933 MHz 20 ns 78-VFBGA(8x10.5)
产品类别半导体    存储器   
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
标准
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W632GG8MB11J概述

SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 933 MHz 20 ns 78-VFBGA(8x10.5)

W632GG8MB11J规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Winbond(华邦电子)
包装托盘
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3
存储容量2Gb(256M x 8)
存储器接口并联
时钟频率933 MHz
写周期时间 - 字,页15ns
访问时间20 ns
电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
安装类型表面贴装型
封装/外壳78-VFBGA
供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)
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