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AS7C251MNTD18A-200TQI

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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文件大小367KB,共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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AS7C251MNTD18A-200TQI概述

ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C251MNTD18A-200TQI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2.65 V
最小供电电压 (Vsup)2.35 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1
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