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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA6S718
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MA6S718

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小36KB，共1页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA6S718概述

Silicon epitaxial planar type

MA6S718规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-88
包装说明R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.4 V
频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量3
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA6S718
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching circuits
•
Small S-mini type 6-pin package
•
Non connected three elements incorporated in one package,
allowing high-density mounting
•
Flat lead type package, resulting in promotion of the actual
mounting ratio and solderability with a high-speed mounter
•
Optimum for low-voltage rectification because of its low forward
rise voltage (V
F
)
•
Optimum for high-frequency rectification because of its short re-
verse recovery time (t
rr
)
2.0
±
0.1
0.65 0.65
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
1
2
3
6
5
4
I
Features
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage (DC)
Peak reverse voltage
Peak forward current
*
Forward current (DC)
*
Junction temperature
Storage temperature
Note) * : Value in per diode
Symbol
V
R
V
RM
I
FM
I
F
T
j
T
stg
Rating
30
30
150
30
125
−55
to
+125
Unit
V
V
mA
mA
°C
°C
0.7
±
0.1
1 : Anode 1
4 : Cathode 3
2 : Anode 2
5 : Cathode 2
3 : Anode 3
6 : Cathode 1
S-Mini Type Package (6-pin)
Marking Symbol: M2N
Internal Connection
1
2
3
6
5
4
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Symbol
I
R
V
F1
V
F2
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
η
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
Ω
Detection efficiency
V
in
= 3 V
(peak)
, f = 30 MHz
R
L
= 3.9 kΩ, C
L
= 10 pF
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment
 
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
65
%
1.5
1
Conditions
Min
Typ
Max
1
0.4
1
Unit
µA
V
V
pF
ns
Bias Applicaiton Unit N-50BU
t
r
Input Pulse
t
p
10%
t
I
F
Output Pulse
t
rr
t
I
rr
=
1 mA
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
Ω
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Ω
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
Ω
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
0.2
±
0.05
1

MA6S718相似产品对比

MA6S718 MA2S304
描述 Silicon epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SC-88 SC-79
包装说明 R-PDSO-F6 R-PDSO-F2
针数 6 2
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 3 ELEMENTS SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带 L BAND VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F2
元件数量 3 1
端子数量 6 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
Base Number Matches 1 1

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器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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