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HCTS20DMSH

产品描述NAND Gate, HCT Series, 2-Func, 4-Input, CMOS, CDIP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小223KB,共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCTS20DMSH概述

NAND Gate, HCT Series, 2-Func, 4-Input, CMOS, CDIP14

HCTS20DMSH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列HCT
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量2
输入次数4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup26 ns
传播延迟(tpd)25 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1

HCTS20DMSH相似产品对比

HCTS20DMSH HCTS20KMSH
描述 NAND Gate, HCT Series, 2-Func, 4-Input, CMOS, CDIP14 NAND Gate, HCT Series, 2-Func, 4-Input, CMOS, CDFP14
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 DIP, DIP14,.3 DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列 HCT HCT
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14
JESD-609代码 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A
功能数量 2 2
输入次数 4 4
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DFP
封装等效代码 DIP14,.3 FL14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK
电源 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 26 ns 26 ns
传播延迟(tpd) 25 ns 25 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
筛选级别 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
Base Number Matches 1 1
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