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R1RW0408DGE-2LR#B0

产品描述SRAM 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 12 ns 36-SOJ
产品类别半导体    存储器   
文件大小135KB,共16页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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R1RW0408DGE-2LR#B0概述

SRAM 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 12 ns 36-SOJ

R1RW0408DGE-2LR#B0规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装管件
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM
存储容量4Mb(512K x 8)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页12ns
电压 - 供电3V ~ 3.6V
工作温度0°C ~ 70°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装36-SOJ
访问时间12 ns
指南:MT-046:运算放大器建立时间
164134 ...
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