
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 5.5V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 表面贴装型 20-WLCSP(2.48x1.17)
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装 | 卷带(TR) |
| FET 类型 | 2 N 沟道(双)共源 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压(Vdss) | 5.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Ta) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 0.95 毫欧 @ 8A,4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 0.9V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 600pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W(Ta) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 20-UFLGA,CSP |
| 供应商器件封装 | 20-WLCSP(2.48x1.17) |
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