Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> P1087_D74Z

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P1087_D74Z: 产品描述JFET P 通道 30 V 350 mW 通孔 TO-92-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小26KB，共3页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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P1087_D74Z概述

JFET P 通道 30 V 350 mW 通孔 TO-92-3

P1087_D74Z规格参数

参数名称	属性值
类别
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	45pF @ 15V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装	TO-92-3
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	30 V
电阻 - RDS(On)	150 Ohms
功率 - 最大值	350 mW
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)	5 mA @ 20 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)	5 V @ 1 µA
基本产品编号	P1087

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P1087

P-Channel Switch

• This device is designed for low level analog switching sample and hold

circuits and chopper stabilized amplifiers.

• Sourced from process 88.

TO-92

D S G

Absolute Maximum Ratings

=25°C unless otherwise noted

Symbol

, T

STG

Drain-Gate Voltage

Gate-Source Voltage

Forward Gate Current

Operating and Storage Junction Temperature Range

Parameter

Value

- 30

-55 ~ +150

Units

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Electrical Characteristics

=25°C unless otherwise noted

Symbol

GSS

(off)

DGO

DSS

(off)

(on)

iss

rss

(on)

(off)

Parameter

Gate-Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

Drain Cutoff Leakage Current

Drain-Gate Leakage Current

Zero-Gate Voltage Drain Current

Gate-Source Cutoff Voltage

Drain-Source On Voltage

Drain-Source On Resistance

Input Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Trun On Time

Rise Time

Trun Off Time

Fall Time

Test Condition

= 0V, IG = 1µA

= 15V

= 7V

= 15V

= 0

T = +85°C

0.5

150

100

Min.

Typ.

Max.

0.5

0.1

Units

µA

Ω

= 20V, V

= 0V

= 15V, I

= 1µA

= 0V, I

= 3mA

= 0V, I

= 1mA

= 0V, I

= 0, f = 1kHz

= 15V, V

= 0V, f = 1MHz

= 0V, V

= 7V, f = 1MHz

= -6V

(off) = +7V

= 1.8kΩ

(on) = -3mA

Thermal Characteristics

=25°C unless otherwise noted

Symbol

θJC

θJA

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Parameter

Max.

350

2.8

125

357

Units

mW/°C

°C/W

Rev. A1, November 2002

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