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TN6725A_D74Z

产品描述晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 50 V 1.2 A - 1 W 通孔 TO-226
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小32KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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TN6725A_D74Z概述

晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 50 V 1.2 A - 1 W 通孔 TO-226

TN6725A_D74Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装带盒(TB)
晶体管类型NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.5V @ 2mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)4000 @ 1A,5V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
供应商器件封装TO-226
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.2 A
电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
功率 - 最大值1 W
基本产品编号TN6725

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TN6725A
Discrete Power & Signal
Technologies
TN6725A
CB
E
TO-226
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced
from Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A = 25°C unless otherwise noted
Value
50
60
12
1.2
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
T
A = 25°C unless otherwise noted
Max
Characteristic
TN6725A
P
D
R
θJC
R
θJA
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1
8
50
125
W
mW/°C
°C/W
°C/W
Units
©
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
TN6725A, Rev A

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