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RMLV0816BGSD-4S2#AA1

产品描述SRAM 存储器 IC 8Mb(1M x 8,512K x 16) 并联 45 ns 52-TSOP II
产品类别半导体    存储器   
文件大小343KB,共16页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RMLV0816BGSD-4S2#AA1概述

SRAM 存储器 IC 8Mb(1M x 8,512K x 16) 并联 45 ns 52-TSOP II

RMLV0816BGSD-4S2#AA1规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装托盘
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM
存储容量8Mb(1M x 8,512K x 16)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页45ns
电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽)
供应商器件封装52-TSOP II
访问时间45 ns
基本产品编号RMLV0816
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