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EE-SY169A

产品描述反射 光学传感器 0.157"(4mm) PCB 安装
产品类别传感器    光学传感器   
文件大小236KB,共2页
制造商Omron Electronics Inc-EMC Div
标准
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EE-SY169A概述

反射 光学传感器 0.157"(4mm) PCB 安装

EE-SY169A规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Omron Electronics Inc-EMC Div
包装散装
感应距离0.157"(4mm)
感应方法反射
输出类型光电晶体管
响应时间30µs,30µs
安装类型通孔
封装/外壳PCB 安装
工作温度0°C ~ 70°C
电压 - 集射极击穿(最大值)30 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20 mA
电流 - DC 正向 (If)(最大值)50 mA
基本产品编号EE-SY169

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Photomicrosensor (Reflective)
EE-SY169A
Be sure to read
Precautions
on page 24.
Dimensions
Note:
All units are in millimeters unless otherwise indicated.
Features
High-quality model with plastic lenses.
Highly precise sensing range with a tolerance of
±0.6
mm horizon-
tally and vertically.
Convergent reflective model with infrared LED.
Recommended sensing distance = 4.0 mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Emitter
Forward current
Pulse forward cur-
rent
1±0.1 dia.
(see note)
(see note)
Two, C0.2
1±0.1 dia.
Symbol
I
F
I
FP
V
R
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
Topr
Tstg
Tsol
Rated value
50 mA
(see note 1)
1A
(see note 2)
3V
30 V
---
20 mA
100 mW
(see note 1)
0°C to 70°C
–20°C to 80°C
260°C
(see note 3)
Surface A
Reverse voltage
Detector
Collector–Emitter
voltage
Emitter–Collector
voltage
Collector current
Collector dissipa-
tion
Internal Circuit
A
C
K
E
Note:
These dimensions are for the
surface A. Other lead
wire
pitch dimensions are for the
housing surface.
Unless otherwise specified, the
tolerances are as shown
below.
Dimensions
Tolerance
3 mm max.
3
<
mm
6
6
<
mm
10
10
<
mm
18
18
<
mm
30
Ambient tem-
perature
Operating
Storage
Soldering temperature
Terminal No.
A
K
C
E
Name
Anode
Cathode
Collector
Emitter
±
0.3
±
0.375
±
0.45
±
0.55
±
0.65
Note: 1.
Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-
ature exceeds 25°C.
2.
The pulse width is 10
μs
maximum with a frequency of
100 Hz.
3.
Complete soldering within 10 seconds.
Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Emitter
Forward voltage
Reverse current
Peak emission wavelength
Detector
Light current
V
F
I
R
λ
P
I
L
Symbol
1.5 V max.
10
μA
max.
920 nm typ.
160
μA
min., 2,000
μA
max.
Value
I
F
= 30 mA
V
R
= 4 V
I
F
= 20 mA
I
F
= 20 mA, V
CE
= 5 V
White paper with a reflection ratio of
90%, d = 4 mm (see note)
V
CE
= 5 V, 0
lx
I
F
= 20 mA, V
CE
= 5 V with no reflec-
tion
---
V
CE
= 5 V
V
CC
= 5 V, R
L
= 1 kΩ, I
L
= 1 mA
V
CC
= 5 V, R
L
= 1 kΩ, I
L
= 1 mA
Condition
Dark current
Leakage current
I
D
I
LEAK
2 nA typ., 200 nA max.
2
μA
max.
---
850 nm typ.
30
μs
typ.
30
μs
typ.
Collector–Emitter saturated volt-
V
CE
(sat)
age
Peak spectral sensitivity wave-
length
Rising time
Falling time
λ
P
tr
tf
Note:
The letter “d” indicates the distance between the top surface of the sensor and the sensing object.
162
EE-SY169A
Photomicrosensor (Reflective)
proteus仿真过程中图表仿真失败,提示没有找到prospice.exe 文件
是在进行图表---仿真图表时出现的131619...
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