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EE-SJ8-B

产品描述光学传感器 穿透光束 0.315"(8mm) 光电晶体管 PCB 安装
产品类别传感器    光学传感器   
文件大小85KB,共4页
制造商Omron Electronics Inc-EMC Div
标准
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EE-SJ8-B概述

光学传感器 穿透光束 0.315"(8mm) 光电晶体管 PCB 安装

EE-SJ8-B规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Omron Electronics Inc-EMC Div
包装散装
感应距离0.315"(8mm)
感应方法穿透光束
输出配置光电晶体管
响应时间4µs,4µs
工作温度-25°C ~ 85°C
安装类型通孔
封装/外壳PCB 安装
类型无放大
电流 - DC 正向 (If)(最大值)50 mA
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30 V
基本产品编号EE-SJ8

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Photomicrosensor (Transmissive)
EE-SJ8-B
I
Dimensions
Note:
All units are in millimeters unless otherwise indicated.
0.3
0.5
6.5
I
Features
18-mm-tall model with a deep slot.
PCB mounting type.
High resolution with a 0.5-mm-wide aperture.
RoHS Compliant.
I
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
20
0.5
2.1
B
8
A
C-1
0.2
0.5
2.1
Item
Emitter
Forward current
Reverse voltage
Symbol
I
F
V
R
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
Topr
Tstg
Tsol
Rated value
50 mA (see note 1)
1 A (see note 2)
4V
30 V
---
20 mA
100 mW
(see note 1)
–25°C to 85°C
–30°C to 100°C
260°C (see note 3)
15±0.2
3.5
3 min.
B
A
Four, 0.25
4
18±0.2
Pulse forward current
I
FP
Four, 0.5
1.94
Detector
Cross section BB
0.8
K
3.2
13.9±0.3
0.8
C
1.2
1.2
A
(11.9)
E
Collector–Emitter
voltage
Emitter–Collector
voltage
Collector current
Collector
dissipation
Cross section AA
Internal Circuit
K
C
Unless otherwise specified, the
tolerances are as shown below.
Dimensions
3 mm max.
3
<
mm
6
6
<
mm
10
10
<
mm
18
18
<
mm
30
Tolerance
±0.3
±0.375
±0.45
±0.55
±0.65
Ambient
Operating
temperature Storage
Soldering temperature
A
E
Terminal No.
A
K
C
E
Name
Anode
Cathode
Collector
Emitter
Note: 1.
Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-
ature exceeds 25°C.
2.
The pulse width is 10
µs
maximum with a frequency of 100 Hz.
3.
Complete soldering within 10 seconds.
I
Ordering Information
Description
Photomicrosensor (transmissive)
Model
EE-SJ8-B
I
Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Emitter
Forward voltage
Reverse current
Peak emission wavelength
Detector
Light current
Dark current
Leakage current
Collector–Emitter saturated
voltage
Peak spectral sensitivity
wavelength
Rising time
Falling time
V
F
I
R
λ
P
I
L
I
D
I
LEAK
V
CE
(sat)
λ
P
tr
tf
Symbol
Value
1.2 V typ., 1.5 V max.
0.01
µA
typ., 10
µA
max.
940 nm typ.
0.05 mA min., 5 mA max.
2 nA typ., 200 nA max.
---
---
850 nm typ.
4
µs
typ.
4
µs
typ.
I
F
= 30 mA
V
R
= 4 V
I
F
= 20 mA
I
F
= 20 mA, V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V, 0
lx
---
---
V
CE
= 10 V
V
CC
= 5 V, R
L
= 100
Ω,
I
L
= 5 mA
V
CC
= 5 V, R
L
= 100
Ω,
I
L
= 5 mA
Condition
278
Photomicrosensor (Transmissive)
EE-SJ8-B
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