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EE-SX2088

产品描述光学传感器 穿透光束 0.134"(3.4mm) 光电达林顿管 PCB 安装
产品类别传感器    光学传感器   
文件大小395KB,共3页
制造商Omron Electronics Inc-EMC Div
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EE-SX2088概述

光学传感器 穿透光束 0.134"(3.4mm) 光电达林顿管 PCB 安装

EE-SX2088规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Omron Electronics Inc-EMC Div
包装散装
感应距离0.134"(3.4mm)
感应方法穿透光束
输出配置光电达林顿管
响应时间70µs,70µs
工作温度-25°C ~ 85°C
安装类型通孔
封装/外壳PCB 安装
类型无放大
电流 - DC 正向 (If)(最大值)50 mA
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)35 V

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EE-SX2088
Dimensions
Note:
All units are in millimeters unless otherwise indicated.
2-R1
5
±
0.2
25
±
0.2
19
±
0.15
6
±
0.2
Photomicrosensor
Features
0.5-mA output min. with only 1-mA forward LED current.
Mounting tabs to secure EE-SX2088 to PCB.
Best suited to drive CMOS IC.
(Transmissive)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
2-∅ 3.2
±
0.2 hole
0.5
±
0.1
12.8
±0.2
3.4
±0.2
B
A
Optical
axis
A
9.2
K
C
7.2
±
0.2
2.5
±
0.1
4 - 0.5
3.0
±
0.4
Section AA
2-C2
0.5
±
0.1
6.5
±
0.1
Item
Emitter
Forward current
Pulse forward
current
Reverse voltage
Detector
Collector-
-Emitter
voltage
Emitter-
-Collector
voltage
Collector current
Collector
dissipation
Symbol
I
F
I
FP
V
R
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
Topr
Tstg
Rated value
50 mA
(see note 1)
1A
(see note 2)
4V
35 V
---
20 mA
100 mW
(see note 1)
--25°C to
85°C
--30°C to
100°C
10
±
0.2
8.4
±
0.1
4 - 0.25
3
±
0.4
Section BB
B
A
(Bottom view)
E
Ambient
temperature
Operating
Storage
Internal Circuit
A
C
Note:
Unless otherwise specified,
the tolerances are
±0.2
mm.
K
E
Terminal No.
A
K
C
E
Name
Anode
Cathode
Collector
Emitter
1. Refer to the temperature rating chart if the ambient
temperature exceeds 25°C.
2. The pulse width is 10
µs
maximum with a frequency
of 100 Hz.
3. Complete soldering within 10 seconds.
Ordering Information
Description
Photomicrosensor (Transmissive)
Part number
EE-SX2088
Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Emitter
e
Forward voltage
Reverse current
Peak emission wavelength
Detector
e ec o
Dark current
Peak spectral sensitivity wavelength
Combination
Light current (collector current)
Collector-emitter saturated voltage
Rising time*
Falling time*
V
F
I
R
Symbol
Value
1.2 V typ.; 1.4 V max.
0.01
µA
typ.; 10
µA
max.
940 mm typ.
2 nA typ.; 1000 nA max.
850 nm typ.
0.5 to 20 mA
0.75 V typ.; 1 V max.
70
µs
typ.
70
µs
typ.
Condition
I
F
= 20mA
V
R
= 4 V
I
F
= 20 mA
V
CE
= 10 V 0
lx
V
CE
= 5 V
I
F
= 1 mA
V
CE
= 2 V
V
CE
(sat)
tr
tf
I
F
= 2 mA
I
L
= 0.5 mA
V
CC
= 2 V
I
L
= 2 mA
R
L
= 100
λ
p(L)
I
D
λ
p(P)
I
L
*The illustrations on the following page show the rising time, tr, and the falling time, tf.
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