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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FGY60T120SQDN
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FGY60T120SQDN

产品描述IGBT - 1200 V 120 A 517 W 通孔 TO-247-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小555KB，共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FGY60T120SQDN在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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FGY60T120SQDN概述

IGBT - 1200 V 120 A 517 W 通孔 TO-247-3

FGY60T120SQDN规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）1.95V @ 15V，60A
输入类型标准
25°C 时 Td（开/关）值52ns/296ns
测试条件600V，60A，10 欧姆，15V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3 变式
供应商器件封装TO-247-3
电压 - 集射极击穿（最大值）1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)240 A
功率 - 最大值517 W
栅极电荷311 nC
基本产品编号FGY60

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