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FQI8N60CTU

产品描述通孔 N 通道 600 V 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) I2PAK(TO-262)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小881KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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FQI8N60CTU在线购买

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FQI8N60CTU概述

通孔 N 通道 600 V 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) I2PAK(TO-262)

FQI8N60CTU规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
系列QFET®
包装管件
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1255 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)3.13W(Ta),147W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装I2PAK(TO-262)
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
基本产品编号FQI8N60
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