AS8E128K32PN-12/IT,AS8E128K32PN-12/IT pdf中文资料,AS8E128K32PN-12/IT引脚图,AS8E128K32PN-12/IT电路-Datasheet-电子工程世界

AS8E128K32PN-12/IT: 产品描述EEPROM, 128KX32, 120ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, CERAMIC, PGA-66; 产品类别存储存储; 文件大小310KB，共13页; 制造商Micross; 官网地址https://www.micross.com

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AS8E128K32PN-12/IT概述

EEPROM, 128KX32, 120ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, CERAMIC, PGA-66

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	PGA
包装说明	1.075 X 1.075 INCH, CERAMIC, PGA-66
针数	66
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.B.1
最长访问时间	120 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 512K X 8
备用内存宽度	16
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-CPGA-P66
长度	27.3 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	66
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.5974 mm
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
宽度	27.3 mm
写保护	SOFTWARE
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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