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BF246A_J35Z

产品描述JFET N 通道 30 V 350 mW 通孔 TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BF246A_J35Z概述

JFET N 通道 30 V 350 mW 通孔 TO-92-3

BF246A_J35Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装散装
FET 类型N 通道
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30 V
功率 - 最大值350 mW
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)30 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)600 mV @ 100 nA
基本产品编号BF246

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BF246A — N-Channel Amplifier
September 2007
BF246A
N-Channel Amplifier
• This device is designed primarily for electronic switching applications such as low on resistance analog switching.
• Sourced from process 51.
TO-92
1
1. Gate 2. Source 3. Drain
Absolute Maximum Ratings*
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
39
-30
10
-55 ~ +150
Units
V
V
mA
°C
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
T
a
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max.
350
2.8
125
357
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
BF246A Rev. 1.0.0
1
www.fairchildsemi.com

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