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BZX85C11_T50R

产品描述二极管 - 齐纳 11 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小493KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BZX85C11_T50R概述

二极管 - 齐纳 11 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)

BZX85C11_T50R规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
容差±5%
工作温度-65°C ~ 200°C
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-204AL(DO-41)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)11 V
功率 - 最大值1 W
阻抗(最大值)(Zzt)8 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 7.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 200 mA
基本产品编号BZX85C11

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BZX85C3V3 - BZX85C56 — Zener Diodes
BZX85C3V3 - BZX85C56
Zener Diodes
Tolerance = 5%
DO-41 Glass Case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T
A
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol
P
D
T
J
, T
STG
Parameter
Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Power Dissipation @ T
L
= 25°C at 4 mm distance from the glass
package
Derate above 50°C
Operating and Storage Temperature Range
Value
1.0
1.3
6.67
-65 to +200
Units
W
mW/°C
°C
© 2007
Semiconductor Components Industries, LLC.
October-2017,
Rev.
2
Publication Order Number:
BZX85C3V3/D

 
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