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FQD30N06TF_F080

产品描述表面贴装型 N 通道 60 V 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小734KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQD30N06TF_F080概述

表面贴装型 N 通道 60 V 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak

FQD30N06TF_F080规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
系列QFET®
包装卷带(TR)
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 11.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
Vgs(最大值)±25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),44W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
漏源电压(Vdss)60 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)945 pF @ 25 V
基本产品编号FQD3
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