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BF245C_D26Z

产品描述RF Mosfet N 通道 JFET - - - TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小25KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BF245C_D26Z概述

RF Mosfet N 通道 JFET - - - TO-92-3

BF245C_D26Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
晶体管类型N 通道 JFET
额定电流(安培)25mA
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 额定30 V
基本产品编号BF245

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BF245A/BF245B/BF245C
BF245A/BF245B/BF245C
N-Channel Amplifiers
• This device is designed for VHF/UHF amplifiers.
• Sourced from process 50.
1
TO-92
1. Gate 2. Source 3. Drain
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
P
D
T
J,
T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Total Device Dissipation @T
A
=25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
30
-30
10
350
2.8
- 55 ~ 150
Units
V
V
mA
mW
mW/°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
V
DS
= 0, I
G
= 1µA
V
DS
= 15V, I
D
= 200µA
Min.
-30
-0.4
-1.6
-3.2
-0.5
-2.2
-3.8
-7.5
-8
-5
Max.
Units
V
V
Off Characteristics
V
(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
V
GS
Gate-Source
BF245A
BF245B
BF245C
V
GS
(off)
I
GSS
Gate-Source Cut-off Voltage
Gate Reverse Current
V
DS
= 15V, I
D
= 10nA
V
GS
= -20V, V
GS
= 0
V
nA
On Characteristics
I
DSS
Zero-Gate Voltage Drain Current
BF245A
BF245B
BF245C
On Characteristics
Common Source Forward
g
fs
Transconductance
V
GS
= 15V, V
GS
= 0
2
6
12
3
6.5
15
25
6.5
mA
V
GS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz
mmhos
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2003

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