通孔 N 通道 150 V 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3P
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3250 pF @ 25 V |
| 基本产品编号 | FQA4 |
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