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J201_D27Z

产品描述JFET N 通道 40 V 625 mW 通孔 TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小781KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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J201_D27Z概述

JFET N 通道 40 V 625 mW 通孔 TO-92-3

J201_D27Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
FET 类型N 通道
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40 V
功率 - 最大值625 mW
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)200 µA @ 20 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)300 mV @ 10 nA
基本产品编号J201

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J201 - J202 / MMBFJ201 - MMBFJ203 — N-Channel General Purpose Amplifier
January 2008
J201 - J202 / MMBFJ201 - MMBFJ203
N-Channel General Purpose Amplifier
• This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources.
• Sourced from Process 52.
TO-92
SOT-23
3
2
Marking
J201
J202
Marking
MMBFJ201 : 62P
MMBFJ202 : 62Q
1
1
1. Drain 2. Source 3. Gate
1. Drain 2. Source 3. Gate
Absolute Maximum Ratings *
T =25°C unless otherwise noted
a
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Parameter
Value
40
-40
50
-55 ~ 150
Units
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics*
T =25°C unless otherwise noted
a
Symbol
P
D
R
qJC
Parameter
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
to Ambient
Value
J201 - J202
625
5.0
125
357
556
MMBFJ201 - MMBFJ203
350
2.8
Units
W
mW/°C
°C/W
°C/W
R
qJA
Thermal Resistance, Junction
* Device mounted on FR-4 PCB 1.6”
´
1.6”
´
0.06"
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
J201 - J202 / MMBFJ201 - MMBFJ203 Rev. 1.0.0
1
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