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FQA10N80_F109

产品描述通孔 N 通道 800 V 9.8A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小804KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQA10N80_F109概述

通孔 N 通道 800 V 9.8A(Tc) 240W(Tc) TO-3P

FQA10N80_F109规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
系列QFET®
包装管件
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.05 欧姆 @ 4.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
Vgs(最大值)±30V
功率耗散(最大值)240W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3P
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
漏源电压(Vdss)800 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)71 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2700 pF @ 25 V
基本产品编号FQA1
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