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2N3820_D26Z

产品描述JFET P 通道 20 V 350 mW 通孔 TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N3820_D26Z在线购买

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2N3820_D26Z概述

JFET P 通道 20 V 350 mW 通孔 TO-92-3

2N3820_D26Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
FET 类型P 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)32pF @ 10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)20 V
功率 - 最大值350 mW
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)300 µA @ 10 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)8 V @ 10 µA
基本产品编号2N3820

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2N3820
2N3820
P-Channel General Purpose Amplifier
• This device is designed primarily for low level audio and general
purpose applications with high impedance signal sources.
• Sourced from process 89.
1
TO-92
1. Drain 2. Gate 3. Source
Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings*
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Storage Temperature Range
Parameter
Ratings
-20
20
10
-55 ~ 150
Units
V
V
mA
°C
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Off Characteristics
V
(BR)GSS
I
GSS
V
GS
(off)
I
DSS
gfs
C
iss
C
rss
Parameter
Test Condition
I
G
= 10µA, V
DS
= 0
V
GS
= 10V, V
DS
= 0
V
DS
= -10V, I
D
= -10µA
V
DS
= -10V, V
GS
= 0
V
DS
= -10V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
V
DS
= -10V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
V
DS
= -10V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
-0.3
800
Min.
20
20
8.0
-15
5000
32
16
Typ.
Max.
Units
V
nA
V
mA
µmhos
pF
pF
Gate-Source Breakdwon Voltage
Gate Reverse Current
Gate-Source Cutoff Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current *
Forward Transfer Conductance
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
On Characteristics
Small Signal Characteristics
* Pulse Test: Pulse Width
300ms, Duty Cycle
2%
Thermal Characteristics
T
A
=25°C unless otherwise noted
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
Parameter
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max.
350
2.8
125
357
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
* Device mounted on FR-4 PCB 1.6”
×
1.6”
×
0.06”
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, December 2002
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