JFET P 通道 40 V 350 mW 通孔 TO-92-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装 | 带盒(TB) |
| FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7pF @ 15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40 V |
| 功率 - 最大值 | 350 mW |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 1 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 750 mV @ 1 µA |
| 基本产品编号 | 2N5460 |
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