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2N5458_D26Z

产品描述JFET N 通道 25 V 625 mW 通孔 TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小130KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N5458_D26Z概述

JFET N 通道 25 V 625 mW 通孔 TO-92-3

2N5458_D26Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7pF @ 15V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)25 V
功率 - 最大值625 mW
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)2 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)1 V @ 10 nA
基本产品编号2N5458

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2N5457 / 5458 / 5459 / MMBF5457 / 5458 / 5459
2N5457
2N5458
2N5459
MMBF5457
MMBF5458
MMBF5459
G
S
G
S
TO-92
D
SOT-23
Mark: 6D / 61S / 6L
D
NOTE: Source & Drain
are interchangeable
N-Channel General Purpose Amplifier
This device is a low level audio amplifier and switching transistors,
and can be used for analog switching applications. Sourced from
Process 55.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
stg
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
25
- 25
10
-55 to +150
Units
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
2N5457-5459
625
5.0
125
357
Max
*MMBF5457-5459
350
2.8
556
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997
Fairchild Semiconductor Corporation
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