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2N5951_D27Z

产品描述RF Mosfet N 通道 JFET 15 V 1kHz - - TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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2N5951_D27Z概述

RF Mosfet N 通道 JFET 15 V 1kHz - - TO-92-3

2N5951_D27Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
晶体管类型N 通道 JFET
频率1kHz
额定电流(安培)13mA
噪声系数2dB
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 测试15 V
电压 - 额定30 V
基本产品编号2N5951

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2N5951 — N-Channel RF Amplifier
September 2007
2N5951
N-Channel RF Amplifier
• This device is designed primarily for electronic switching applications such as low on resistance analog switching.
• Sourced from process 50.
TO-92
1
1. Gate 2. Source 3. Drain
Absolute Maximum Ratings*
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
30
-30
10
-55 ~ 150
Units
V
V
mA
°C
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
T
a
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max.
350
2.8
125
357
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
2N5951 Rev. 1.0.0
1
www.fairchildsemi.com
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