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2N3416_D74Z

产品描述晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 500 mA - 625 mW 通孔 TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小304KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N3416_D74Z在线购买

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2N3416_D74Z概述

晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 500 mA - 625 mW 通孔 TO-92-3

2N3416_D74Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装带盒(TB)
晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 3mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)75 @ 2mA,4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
功率 - 最大值625 mW
基本产品编号2N341

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2N3416 / 2N3417
2N3416
2N3417
B
C
TO-92
E
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced
from Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Value
50
50
5.0
500
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
2N3416 / 2N3417
625
5.0
83.3
200
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
©
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
3416-3417, Rev B

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