电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2N5461_L99Z

产品描述JFET P 通道 40 V 350 mW 通孔 TO-92(TO-226)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 全文预览

2N5461_L99Z在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
2N5461_L99Z - - 点击查看 点击购买

2N5461_L99Z概述

JFET P 通道 40 V 350 mW 通孔 TO-92(TO-226)

2N5461_L99Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装散装
FET 类型P 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7pF @ 15V
工作温度-65°C ~ 135°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装TO-92(TO-226)
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40 V
功率 - 最大值350 mW
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)9 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)1 V @ 1 µA
基本产品编号2N5461

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2860  1646  2107  2577  558  58  34  43  52  12 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved