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1N4370A_T50R

产品描述二极管 - 齐纳 2.4 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小235KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N4370A_T50R在线购买

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1N4370A_T50R概述

二极管 - 齐纳 2.4 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

1N4370A_T50R规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
容差±5%
工作温度-65°C ~ 200°C
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)2.4 V
功率 - 最大值500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.5 V @ 200 mA
基本产品编号1N4370

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Zeners 1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A
Zeners
1N4370A - 1N4372A
1N746A - 1N759A
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
P
D
Parameter
Power Dissipation
@ TL
75°C, Lead Length = 3/8”
Derate above 75°C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Temperature Range
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Tolerance = 5%
Units
mW
mW/°C
°C
Value
500
4.0
-65 to +200
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Electrical Characteristics
Device
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
Min.
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
11.40
Typ.
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
T
A
=25°C unless otherwise noted
V
Z
(V) @ I
Z
= 20mA
(Note 1)
Max.
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
Z
Z
(Ω) @ I
Z
= 20mA
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
I
ZM
(mA)
(Note 2)
I
R
(µA) @ V
R
= 1V
Ta = 25°C
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
Ta = 125°C
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
V
F
Forward Voltage = 1.5V Max @ I
F
= 200mA
Notes:
1. Zener Voltage (V
Z
)
The zener voltage is measured with the device junction in the thermal equilibrium at the lead temperature (T
L
) at 30°C ± 1°C and 3/8” lead length.
2. Maximum Zener Current Ratings (I
ZM
)
The maximum current handling capability on a worst case basis is limited by the actual zener voltage at the operation point and the power derating curve.
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