电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2N3819_D27Z

产品描述RF Mosfet N 通道 JFET - - - TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 全文预览

2N3819_D27Z在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
2N3819_D27Z - - 点击查看 点击购买

2N3819_D27Z概述

RF Mosfet N 通道 JFET - - - TO-92-3

2N3819_D27Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
晶体管类型N 通道 JFET
额定电流(安培)50mA
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 额定25 V
基本产品编号2N3819

文档预览

下载PDF文档
2N3819
2N3819
N-Channel RF Amplifier
• This device is designed for RF amplifier and mixer applications
operating up to 450MHz, and for analog switching requiring low
capacitance.
• Sourced from process 50.
TO-92
1
1. Drain 2. Gate 3. Source
Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings*
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
D
I
GF
T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Forward Gate Current
Storage Temperature Range
Parameter
Ratings
25
-25
50
10
-55 ~ 150
Units
V
V
mA
mA
°C
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Off Characteristics
V
(BR)GSS
I
GSS
V
GS
(off)
V
GS
I
DSS
gfs
goss
y
fs
C
iss
C
rss
Parameter
Test Condition
I
G
= 1.0µA, V
DS
= 0
V
GS
= -15V, V
DS
= 0
V
DS
= 15V, I
D
= 2.0nA
V
DS
= 15V, I
D
= 200µA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1.0KHz
1600
8.0
4.0
-0.5
2.0
2000
Min.
25
2.0
8.0
-7.5
20
6500
50
Typ.
Max.
Units
V
nA
V
V
mA
µmhos
µmhos
µmhos
pF
pF
Gate-Source Breakdwon Voltage
Gate Reverse Current
Gate-Source Cutoff Voltage
Gate-Source Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Forward Transfer Conductance
Output Conductance
Forward Transfer Admittance
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
On Characteristics
Small Signal Characteristics
Thermal Characteristics
T
A
=25°C unless otherwise noted
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
Parameter
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max.
350
2.8
125
357
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
* Device mounted on FR-4 PCB 1.5”
×
1.6”
×
0.06”
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, December 2002
CRC算法原理(看了一堆中文后,发现讲得最明白的还是这个)
CRC算法原理: http://www.repairfaq.org/filipg/LINK/F_crc_v32.html 另外还可下一个,microchip的AN730...
安_然 stm32/stm8
回报论坛,发一个经验帖~有关430精确控制AD采样率
这段时间在搞的项目要用到430精确控制AD采样率,感觉自己搞了好久,期间没少问问题,论坛啊,QQ群啊,甚至还问过TI的员工,还和自己的小伙伴讨论了这个问题。非常给力的是最终我终于解决了这个 ......
Ben讨厌苦咖啡 微控制器 MCU
请大家推荐几款有 USB HOST 的手机或PDA,价钱不限,谢谢!
如题,首先谢过!...
dhmgwb333 嵌入式系统
高速球在实际中的应用-高速公路的应用
关键字:高速球 城市道路监控由于监控点多、监控范围广环境复杂,其要求摄像机可以迅速发现并捕捉异常点,同时进行精确定位.放大监视画面和同步录像。高速球由于功能逐渐完善在城市道路的 ......
yucooxfj 工业自动化与控制
Create a flexible EDGE data receiver(Part 3)
EDGE in softwareEnabling a fully-software EDGE data receiver implementation has many advantages. Design can be iterated without effecting the terminal''s hardware design while opti ......
JasonYoo 无线连接
太阳能控制器,大家过来帮看看!
最近搞个太阳能的东西,查各种资料,根据实物,论文,网上资料,还是觉得问题大大, 望有经验的大哥们帮忙看看,是否可行呀~ 问题1:两个GND是不是需要用0欧姆电阻相连呀? 问题2:电源的供 ......
零下12度半 电源技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1217  348  2329  2557  1428  25  8  47  52  29 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved