DRAM 存储器 IC 288Mb(32M x 9) 并联 400 MHz 20 ns 144-µBGA(18.5x11)
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 包装 | 卷带(TR) |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | DRAM |
| 存储容量 | 288Mb(32M x 9) |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA(18.5x11) |
| 时钟频率 | 400 MHz |
| 访问时间 | 20 ns |
| 基本产品编号 | MT49H32M9 |
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