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MT47H64M16HR-3:H TR

产品描述SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 333 MHz 450 ps 84-FBGA(8x12.5)
产品类别半导体    存储器   
文件大小2MB,共141页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47H64M16HR-3:H TR概述

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 333 MHz 450 ps 84-FBGA(8x12.5)

MT47H64M16HR-3:H TR规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Micron Technology
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel®
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量1Gb(64M x 16)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页15ns
电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
工作温度0°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装型
封装/外壳84-TFBGA
供应商器件封装84-FBGA(8x12.5)
时钟频率333 MHz
访问时间450 ps
基本产品编号MT47H64M16

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1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
Features
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Automotive temperature (AT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
• Configuration
– 256 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 8 banks)
– 128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
– 64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 8 banks)
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Die
Rev :H
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Die
Rev :M
• FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Die
Rev :H
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Die
Rev :M
• FBGA package (lead solder) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Die
Rev :H
• FBGA package (lead solder) – x4, x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Die
Rev :H
• Timing – cycle time
– 1.875ns @ CL = 7 (DDR2-1066)
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
• Self refresh
– Standard
– Low-power
• Operating temperature
– Commercial (0°C T
C
+85°C)
2
– Industrial (–40°C T
C
+95°C;
–40°C T
A
+85°C)
• Revision
Notes:
Marking
256M4
128M8
64M16
HR
NF
CF
SH
HW
JN
-187E
-25E
-3
None
L
None
IT
:H / :M
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on www.micron.com for
product offerings and availability.
2. For extended CT operating temperature see
IDD Table 11 (page 32) Note 7.
CCMTD-1725822587-9658
1GbDDR2.pdf – Rev. AB 09/18 EN
1
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© 2007 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

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