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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 存储器> MT47H256M8THN-25E:M TR
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MT47H256M8THN-25E:M TR

产品描述SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb（256M x 8） 并联 400 MHz 400 ps 63-FBGA（8x10）
产品类别半导体    存储器   
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47H256M8THN-25E:M TR概述

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb（256M x 8） 并联 400 MHz 400 ps 63-FBGA（8x10）

MT47H256M8THN-25E:M TR规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Micron Technology
包装卷带（TR）
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量2Gb（256M x 8）
存储器接口并联
写周期时间 - 字，页15ns
电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
工作温度0°C ~ 85°C（TC）
安装类型表面贴装型
封装/外壳63-TFBGA
供应商器件封装63-FBGA（8x10）
时钟频率400 MHz
访问时间400 ps
基本产品编号MT47H256M8

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