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MT47H128M16RT-25E:C TR

产品描述SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb 并联 400 MHz 400 ps 84-FBGA(9x12.5)
产品类别半导体    存储器   
文件大小2MB,共135页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47H128M16RT-25E:C TR概述

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb 并联 400 MHz 400 ps 84-FBGA(9x12.5)

MT47H128M16RT-25E:C TR规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Micron Technology
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量2Gb
存储器组织128M x 16
存储器接口并联
时钟频率400 MHz
写周期时间 - 字,页15ns
访问时间400 ps
电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
工作温度0°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装型
封装/外壳84-TFBGA
供应商器件封装84-FBGA(9x12.5)
基本产品编号MT47H128M16

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2Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H512M4 – 64 Meg x 4 x 8 banks
MT47H256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks
MT47H128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks
Features
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Programmable burst lengths: 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
• Configuration
– 512 Meg x 4 (64 Meg x 4 x 8 banks)
– 256 Meg x 8 (32 Meg x 8 x 8 banks)
– 128 Meg x 16 (16 Meg x 16 x 8 banks)
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (11.5mm x 14mm) Rev. A
• FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 60-ball FBGA (11.5mm x 14mm) Rev. A
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (9mm x 12.5mm) Rev. C
• FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 60-ball FBGA (9mm x 11.5mm) Rev. C
• FBGA package (Lead solder) – x16
– 84-ball FBGA (9mm x 12.5mm) Rev. C
• Timing – cycle time
– 1.875ns @ CL = 7 (DDR2-1066)
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
– 2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
• Self refresh
– Standard
• Operating temperature
– Commercial (0°C T
C
+85°C)
– Industrial (–40°C T
C
+95°C;
–40°C T
A
+85°C)
• Revision
Note:
Marking
512M4
256M8
128M16
HG
HG
RT
EB
PK
-187E
-25E
-25
-3
None
None
IT
:A/:C
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
CCMTD-1725822587-6523
2Gb_DDR2.pdf – Rev. J 09/18 EN
1
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

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