Datasheet> 器件分类 > 半导体> 存储器> MT46V64M8CY-5B AIT:J

文档预览

MT46V64M8CY-5B AIT:J: 产品描述SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 200 MHz 700 ps 60-FBGA（8x12.5）; 产品类别半导体存储器; 文件大小4MB，共91页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

下载文档详细参数全文预览

MT46V64M8CY-5B AIT:J概述

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 200 MHz 700 ps 60-FBGA（8x12.5）

MT46V64M8CY-5B AIT:J规格参数

参数名称	属性值
类别
厂商名称	Micron Technology
系列	Automotive, AEC-Q100
包装	散装
存储器类型	易失
存储器格式	DRAM
技术	SDRAM - DDR
存储容量	512Mb（64M x 8）
存储器接口	并联
写周期时间 - 字，页	15ns
电压 - 供电	2.5V ~ 2.7V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	60-TFBGA
供应商器件封装	60-FBGA（8x12.5）
时钟频率	200 MHz
访问时间	700 ps
基本产品编号	MT46V64M8

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM

Features

Double Data Rate (DDR) SDRAM

MT46V128M4 – 32 Meg x 4 x 4 banks

MT46V64M8 – 16 Meg x 8 x 4 banks

MT46V32M16 – 8 Meg x 16 x 4 banks

Features

• V

= +2.5V ±0.2V, V

Q = +2.5V ±0.2V

• V

= +2.6V ±0.1V, V

Q = +2.6V ±0.1V (DDR400)

• Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/

received with data, i.e., source-synchronous data

capture (x16 has two – one per byte)

• Internal, pipelined double-data-rate (DDR)

architecture; two data accesses per clock cycle

• Differential clock inputs (CK and CK#)

• Commands entered on each positive CK edge

• DQS edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• DLL to align DQ and DQS transitions with CK

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for masking write data

(x16 has two – one per byte)

• Programmable burst lengths: 2, 4, or 8

• Auto refresh

–

64ms, 8192-cycle(Commercial and industrial)

–

16ms, 8192-cycle (Automotive)

• Self refresh (not available on AT devices)

• Longer-lead TSOP for improved reliability (OCPL)

• 2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

• Concurrent auto precharge option is supported

•

RAS lockout supported (

RAP =

RCD)

Options

• Configuration

–

128 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 4 banks)

–

64 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 4 banks)

–

32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)

• Plastic package

–

66-pin TSOP

–

66-pin TSOP (Pb-free)

–

60-ball FBGA (10mm x 12.5mm)

–

60-ball FBGA (10mm x 12.5mm) (Pb-free)

• Timing – cycle time

–

5ns @ CL = 3 (DDR400B)

–

6ns @ CL = 2.5 (DDR333) (FBGA only)

–

6ns @ CL = 2.5 (DDR333) (TSOP only)

–

7.5ns @ CL = 2 (DDR266)

–

7.5ns @ CL = 2 (DDR266A)

–

7.5ns @ CL = 2.5 (DDR266B)

• Self refresh

–

Standard

–

Low-power self refresh

• Temperature rating

–

Commercial (0°C to +70°C)

–

Industrial (–40°C to +85°C)

–

Automotive (–40°C to +105°C)

• Revision

–

x4, x8

–

x4, x8, x16

Notes: 1. End of life.

Marking

128M4

64M8

32M16

-5B

-6

-6T

-75E

-75Z

-75

None

Table 1:

Key Timing Parameters

CL = CAS (READ) latency; data-out window is MIN clock rate with 50% duty cycle at CL = 2, CL = 2.5, or CL = 3

Clock Rate (MHz)

CL = 2

133

100

CL = 2.5

167

133

CL = 3

200

n/a

Speed

Grade

-5B

-6

-75E/-75Z

-75

Data-Out

Window

1.6ns

2.1ns

2.0ns

2.5ns

Access

Window

±0.70ns

±0.75ns

DQS–DQ

Skew

+0.40ns

+0.45ns

+0.50ns

PDF: 09005aef80a1d9d4/Source: 09005aef82a95a3a

512Mb_DDR_x4x8x16_D1.fm - 512Mb DDR: Rev. N; Core DDR Rev. B 2/09 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM

Table of Contents

State Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

General Notes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Automotive Tempature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Functional Block Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Pin and Ball Assignments and Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Electrical Specifications – I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Electrical Specifications – DC and AC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Notes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .35

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .43

DESELECT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47

NO OPERATION (NOP). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47

LOAD MODE REGISTER (LMR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47

ACTIVE (ACT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .48

READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49

WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50

PRECHARGE (PRE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51

BURST TERMINATE (BST) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51

AUTO REFRESH (AR). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51

SELF REFRESH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51

Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52

INITIALIZATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52

REGISTER DEFINITION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55

ACTIVE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59

READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .60

WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .72

PRECHARGE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .85

AUTO REFRESH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .87

SELF REFRESH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .88

Power-down (CKE Not Active) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .90

PDF: 09005aef80a1d9d4/Source: 09005aef82a95a3a

512Mb_DDRTOC.fm - 512Mb DDR: Rev. N; Core DDR Rev. B 2/09 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM

Functional Description

The DDR SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation.

The double data rate architecture is essentially a 2n-prefetch architecture with an inter-

face designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or

write access for the DDR SDRAM effectively consists of a single 2n-bit-wide, one-clock-

cycle data transfer at the internal DRAM core and two corresponding

n-bit-wide,

one-

half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.

A bidirectional data strobe (DQS) is transmitted externally, along with data, for use in

data capture at the receiver. DQS is a strobe transmitted by the DDR SDRAM during

READs and by the memory controller during WRITEs. DQS is edge-aligned with data for

READs and center-aligned with data for WRITEs. The x16 offering has two data strobes,

one for the lower byte and one for the upper byte.

The DDR SDRAM operates from a differential clock (CK and CK#); the crossing of CK

going HIGH and CK# going LOW will be referred to as the positive edge of CK.

Commands (address and control signals) are registered at every positive edge of CK.

Input data is registered on both edges of DQS, and output data is referenced to both

edges of DQS, as well as to both edges of CK.

Read and write accesses to the DDR SDRAM are burst oriented; accesses start at a

selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed

sequence. Accesses begin with the registration of an ACTIVE command, which may then

be followed by a READ or WRITE command. The address bits registered coincident with

the ACTIVE command are used to select the bank and row to be accessed. The address

bits registered coincident with the READ or WRITE command are used to select the bank

and the starting column location for the burst access.

The DDR SDRAM provides for programmable READ or WRITE burst lengths of 2, 4, or 8

locations. An auto precharge function may be enabled to provide a self-timed row

precharge that is initiated at the end of the burst access.

As with standard SDR SDRAMs, the pipelined, multibank architecture of DDR SDRAMs

allows for concurrent operation, thereby providing high effective bandwidth by hiding

row precharge and activation time.

An auto refresh mode is provided, along with a power-saving power-down mode. All

inputs are compatible with the JEDEC standard for SSTL_2. All full-drive option outputs

are SSTL_2, Class II compatible.

General Notes

• The functionality and the timing specifications discussed in this data sheet are for the

DLL-enabled mode of operation.

• Throughout the data sheet, the various figures and text refer to DQs as “DQ.” The DQ

term is to be interpreted as any and all DQ collectively, unless specifically stated

otherwise. Additionally, the x16 is divided into two bytes, the lower byte and upper

byte. For the lower byte (DQ0–DQ7) DM refers to LDM and DQS refers to LDQS. For

the upper byte (DQ8–DQ15) DM refers to UDM and DQS refers to UDQS.

• Complete functionality is described throughout the document and any page or

diagram may have been simplified to convey a topic and may not be inclusive of all

requirements.

• Any specific requirement takes precedence over a general statement.

PDF: 09005aef80a1d9d4/Source: 09005aef82a95a3a

DDR_x4x8x16_Core1.fm - 512Mb DDR: Rev. N; Core DDR Rev. B 2/09 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

推荐资源

51、STM32、Linux点灯的区别在哪儿？: 1 51点灯 51点灯，是很多单片机初学者的首选，难度也是相对比较低的。准备工作 ⚫ 51开发板（以STC ......; huaqingyuanjian 51单片机

幸福来得太突然: 本帖最后由 woody_chen 于 2017-3-14 12:28 编辑嗡嗡嗡......（手机一阵震动）喂！你是某某某吗？心里一惊，又是骗子？？？你在是德科技公众号抽奖活动中中了一等奖，有人向我们发了 ......; woody_chen 测试/测量

1138 UART2的发送中断可以使能吗？: 代码如下。 void uart2Init(void){ SysCtlPeriEnable(SYSCTL_PERIPH_GPIOG); /* 使能UART0所在的GPIOA端口 */ SysCtlPeriEnable(SYSCTL_PERIPH_UART2); /* 使能UART0模块 */ GPIOPinTypeU ......; eeleader 微控制器 MCU

关于定时器的使用: 应版主的要求，修改下标题便于其他人搜索~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~我让定时器只干这个：启动定时器，在定时器溢出中断的时候点闪一个灯~~~如果用内部时钟驱动定 ......; yuzhibing stm32/stm8

人为什么这么累，这个故事告诉你原因: 有一天，神创造了一头牛。神对牛说：“你要整天在田里替农夫耕田，供应牛奶给人类饮用。你要工作直至日落，而你只能吃草。我给你50年的寿命。” 牛抗议道：“我这么辛苦，还只能吃草，我只 ......; 苏莎莎聊聊、笑笑、闹闹

关于揭帖率的计算方法: 为什么我只有50％？明明都结帖了...; sdlrf123 嵌入式系统

骗补传闻重挫家电业能效虚标话题再受关注

　　日前，有媒体报道家电厂商涉嫌在新一轮家电节能补贴中存在骗补行为，并由此引出“骗补导致本周一家电股大跌”的传闻。“涉嫌”厂商回应不存在“骗补”行为，业内人士也分析股价大跌与家电行业半年业绩疲软有关，而非“骗补”影响。不过，关于新一轮家电节能补贴政策中如何避免“骗补”的问题仍受到了业界的广泛关注。　　 “骗补”疑云再惹风波　　日前，有媒体关于“个别家电企业涉嫌骗取国家节能补贴”的报道...[详细]
调查称98%平板电脑使用ARM芯片

美国市场研究公司TownHall Research分析师杰米·汤森(Jamie Townsend)从ABI Research那里摘取了平板电脑市场现状的一些最新数据，他的结论是：在平板电脑的世界，苹果iPad和ARM处理器是绝对的主宰。 100%带有Wi-Fi功能汤森在报告中写到：“平板电脑从本质上讲属于连接设备，ABI称WiFi是平板电脑的基本要求之一，我们相信WiFi将继续成为主流...[详细]
基于AS3990芯片的UHF手持读写器设计

1.引言无线射频技术 RFID(radio frequency identification)是20 世纪90 年代兴起的一种非接触的自动识别技术，利用其射频信号空间传播的特性——通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触信息传递，并通过所传递的信息来实现对被识别物体的自动识别。识别过程不需要物理接触，不需要人工管理即可完成标签信息的写入和读取。采用RFID 技术，可以一次性实现对多个目标以...[详细]
一种基于FM20L08的温度测试仪

　　1 引言　　高温测试仪主要用于加热过程中的温度跟踪测量和数据采集,通过对测试数据进行系统分析,研究炉内的温度分布和温差变化规律,分析影响加热质量的主要因素,对加热炉加热过程和加热制度进行优化,提高加热质量,降低燃料消耗。　　而在一些收集存储数据的系统，系统的电压可能变化不定或者突然断电，FM20L08就是针对这些系统可以用来直接替换异步静态存储器（SRAM）而设计的存储器，也是R...[详细]
FlexRay?在汽车网络中的应用解决方案

您经常要给汽车刹车加制动液吗?需要抽出制动液，以确保制动液管中没有气体，虽然这些工作可能并不由车主亲自动手完成，但这个事实却证明，即使在更加现代化的电动液压制动系统中，我们仍然要忍受所谓的"湿"系统带来的困扰。随着"线控"技术的出现，我们将能使用重量轻、效率高、更简单的电子机械系统，如线控刹车技术(Brake-By-Wire)，取代笨重的液压系统和污秽的有毒液体，并彻底摆脱它们。但是，...[详细]
亚马逊手机正在测试今年或明年年初量产

亚马逊做手机这个消息大家这几周应该早听到了。这不，连美国最知名的华尔街日报都开始为期造势了。华尔街日报也得到确切的消息，亚马逊正在测试其手机。亚马逊手机今年年底或明年年初量产(图片引自theverge) 　　该媒体还得到消息，现在亚马逊正在于亚洲供应商进行磋商，洽谈合作事宜。有可能在今年年末或明年年初进行批量生产。手机的屏幕大概在4吋到5吋之间。这无疑又是一部大屏手机。亚马逊手...[详细]
基于Blackfin 处理器的TFT LCD 驱动设计

长期以来，传统的掌上电脑(PDA)等小型手持式设备，由于硬件条件的限制，显示器件通常是单色 LCD，用户界面非常简单。随着高性能嵌入式处理器的普及和硬件成本的不断降低，嵌入式系统的功能也越来越强。在多媒体应用的推动下，彩色 LCD 开始应用到嵌入式系统中。新一代掌上电脑(PDA)多采用 TFT LCD 显示器件，支持彩色图形界面，图片显示和视频媒体播放。掌上电脑(PDA)的操作系统有微软 W...[详细]
汽车仪表板照明需要具有丰富功能的开关稳压器

　　电子系统处于汽车电源总线上不同的位置，因此经常需要在非常严格的电源要求下运作。其中包括负载突降、冷车发动、轻负载时非常低的功耗和低噪声工作。另外，宽工作电压范围，加上高瞬态电压和大范围温度偏移等要求使电子系统的设计更加复杂。雪上加霜的是，性能要求还在不断提高。系统的不同部分要求有多种电源电压。一般的导航系统可能有6个或更多不同的电源，如8V、5V、3.3V、2.5V、1.8V和1.5V。同时，...[详细]
针对便携式工业测量应用延长电池寿命的诀窍

　　对于便携应用而言，电池寿命至关重要。正如烟雾探测器、安全设备和自动调温器等应用，工厂原装的电池需要能够维持长达10年以上的工作时间。因此，延长电池寿命已成为便携式应用设计中的关键组成部分。　　为了最大程度地延长电池寿命，设计师需要将系统的平均电流消耗降至最低。要实现这个目的，采用多种低功耗工作模式及选用合适的元器件就非常重要。就低功耗工作模式而言，其中就包括关断模式和实时时钟待机操作模式。...[详细]
英飞凌推出射频功率LDMOS晶体管

2012年7月11日，德国纽必堡讯——英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。　　 PTVA家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管——具备400W和500W输出功率，适用于L频段和UHF频段雷达系统——和一个适用于965 M...[详细]
燃料电池发动机智能测试平台的设计

　　本文建立了基于NI集成软硬件环境燃料电池发动机测试平台。该平台可以实现燃料电池发动机及其辅助系统的测试与控制、燃料电池发动机系统参数测量、为燃料电池发动机提供多种工况环境，甚至系统控制策略的评价。利用NI开发套件建立了一个内嵌专家系统的智能软件平台，不仅确保了测试平台的工作安全性，同时也可以对系统的潜在故障进行诊断。此外，由于该测试平台的高速采样，使得燃料电池发动机动态特性参数的准确性得...[详细]
位移角度传感器原理及其在实际障碍中的应用

　　一、位移角度传感器原理　　角度传感器用来检测角度的。它的身体中有一个孔，可以配合乐高的轴。当连结到RCX上时，轴每转过1/16圈，角度传感器就会计数一次。往一个方向转动时，计数增加，转动方向改变时，计数减少。计数与角度传感器的初始位置有关。当初始化角度传感器时，它的计数值被设置为0，如果需要，你可以用编程把它重新复位。　　二、位移角度传感器实例　　如果把角度传感器连接到马达和轮子...[详细]
现场总线技术在轧钢在线测试系统的应用

1、引言　　钢材轧制前对钢坯出炉温度进行检测是保证轧钢质量的一项重要措施。传统的人工测试难以保证产品质量，生产效率较低，实现轧钢在线的温度和支数自动测量具有重要意义。由于轧钢线距离远，采用现场总线网络结构可有效降低系统造价。现场总线是一种应用于工业控制的计算机网络，完备的网络系统支持7层协议，如lonworks和profibus，这种网络可以通过网关和INTER...[详细]
新款MIPS-Based™ Android™ 4.0平板电脑即将登陆

为数字家庭、网络、移动和嵌入式应用提供业界标准处理器架构与内核的领导厂商美普思科技公司 (MIPS Technologies, Inc) 以及为便携式消费电子提供多媒体和移动网络SoC解决方案的中国领先无晶圆半导体厂商炬力集成电路设计有限公司今天共同宣布，内置炬力MIPS-Based™SoC的新款Android™ 4.0“冰淇林三明治”平板电脑即将进军市场。中国平板电脑制造商蓝魔推出的新款m...[详细]
Wi-Fi认证计划让SIM卡拥有Wi-Fi服务共通账号

7月10日消息，据台湾媒体消息。随着现在移动用户越来越多，对于Wi-Fi功能的需求也日渐趋增。全球性非营利组织无线宽带联盟（WirelessBroadbandAlliance，简称Wi-FiAlliance）6月底开发了Wi-Fi Certified Passpoint认证计划。此计划提供了一个全球性的Wi-Fi单一账号架构，利用手机SIM独有的唯一识别码MSI号码，作为各地Wi-Fi服务的共通...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多