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MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

产品描述SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 84-FBGA(9x12.5)
产品类别半导体    存储器   
文件大小9MB,共127页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47H128M16RT-25E AAT:C TR概述

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 84-FBGA(9x12.5)

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Micron Technology
系列Automotive, AEC-Q100
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel®
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量2Gb(128M x 16)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页15ns
电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
安装类型表面贴装型
封装/外壳84-TFBGA
供应商器件封装84-FBGA(9x12.5)
基本产品编号MT47H128M16

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2Gb: x8, x16 Automotive DDR2 SDRAM
Features
Automotive DDR2 SDRAM
MT47H256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks
MT47H128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks
Features
Industrial and automotive temperature compliant
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Programmable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
32ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
AEC-Q100
PPAP submisson
8D response time
Options
1
• Configuration
– 256 Meg x 8 (32 Meg x 8 x 8 banks)
– 128 Meg x 16 (16 Meg x 16 x 8 banks)
• FBGA package (Pb-free) – x8
– 60-ball FBGA (9mm x 11.5mm)
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (9mm x 12.5mm)
• FBGA package (lead solder) – x16
– 84-ball FBGA (9mm x 12.5mm)
• Timing – cycle time
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
• Self refresh
– Standard
• Operating temperature
– Industrial (–40°C
T
C
+95°C;
–40°C
T
A
+85°C)
– Automotive (–40°C
T
C
, T
A
+105°C)
• Revision
Note:
Marking
256M8
128M16
EB
RT
PK
-25E
-3
None
AIT
AAT
:C
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
Table 1: Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Speed Grade
-25E
-25
-3
CL = 3
n/a
n/a
400
CL = 4
533
533
533
CL = 5
800
667
667
CL = 6
800
800
n/a
CL = 7
n/a
n/a
n/a
t
RC
(ns)
55
55
55
09005aef8441c566
2gbddr2_ait_aat.pdf – Rev. F 06/18 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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