Datasheet> 器件分类 > 半导体> 嵌入式处理器和控制器> M2S150TS-1FCV484

M2S150TS-1FCV484: 产品描述ARM® Cortex®-M3 嵌入式 - 片上系统 (SoC) IC series FPGA - 150K 逻辑模块 166MHz 484-FBGA（19x19）; 产品类别半导体嵌入式处理器和控制器; 文件大小1MB，共141页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

下载文档详细参数全文预览

M2S150TS-1FCV484在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	M2S150TS-1FCV484	-	-	点击查看	点击购买

M2S150TS-1FCV484概述

ARM® Cortex®-M3 嵌入式 - 片上系统 (SoC) IC series FPGA - 150K 逻辑模块 166MHz 484-FBGA（19x19）

M2S150TS-1FCV484规格参数

参数名称	属性值
类别
厂商名称	Microchip(微芯科技)
系列	SmartFusion®2
包装	托盘
架构	MCU，FPGA
核心处理器	ARM® Cortex®-M3
闪存大小	512KB
RAM 大小	64KB
外设	DDR，PCIe，SERDES
连接能力	CANbus，以太网，I²C，SPI，UART/USART，USB
速度	166MHz
主要属性	FPGA - 150K 逻辑模块
工作温度	0°C ~ 85°C（TJ）
封装/外壳	484-BFBGA
供应商器件封装	484-FBGA（19x19）
I/O 数	273
基本产品编号	M2S150

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

DS0128

Datasheet

IGLOO2 FPGA and SmartFusion2 SoC FPGA

Microsemi Corporate Headquarters

One Enterprise, Aliso Viejo,

CA 92656 USA

Within the USA: +1 (800) 713-4113

Outside the USA: +1 (949) 380-6100

Fax: +1 (949) 215-4996

Email:

sales.support@microsemi.com

www.microsemi.com

rights reserved. Microsemi and the

Microsemi logo are trademarks of

Microsemi Corporation. All other

trademarks and service marks are the

property of their respective owners.

Microsemi makes no warranty, representation, or guarantee regarding the information contained herein or the suitability of

its products and services for any particular purpose, nor does Microsemi assume any liability whatsoever arising out of the

application or use of any product or circuit. The products sold hereunder and any other products sold by Microsemi have

been subject to limited testing and should not be used in conjunction with mission-critical equipment or applications. Any

performance specifications are believed to be reliable but are not verified, and Buyer must conduct and complete all

performance and other testing of the products, alone and together with, or installed in, any end-products. Buyer shall not

rely on any data and performance specifications or parameters provided by Microsemi. It is the Buyer's responsibility to

independently determine suitability of any products and to test and verify the same. The information provided by Microsemi

hereunder is provided “as is, where is” and with all faults, and the entire risk associated with such information is entirely

with the Buyer. Microsemi does not grant, explicitly or implicitly, to any party any patent rights, licenses, or any other IP

rights, whether with regard to such information itself or anything described by such information. Information provided in this

document is proprietary to Microsemi, and Microsemi reserves the right to make any changes to the information in this

document or to any products and services at any time without notice.

About Microsemi

Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) offers a comprehensive portfolio of semiconductor and system solutions for

aerospace & defense, communications, data center and industrial markets. Products include high-performance and

radiation-hardened analog mixed-signal integrated circuits, FPGAs, SoCs and ASICs; power management products;

timing and synchronization devices and precise time solutions, setting the world's standard for time; voice processing

devices; RF solutions; discrete components; enterprise storage and communication solutions, security technologies and

scalable anti-tamper products; Ethernet solutions; Power-over-Ethernet ICs and midspans; as well as custom design

capabilities and services. Microsemi is headquartered in Aliso Viejo, California, and has approximately 4,800 employees

globally. Learn more at

www.microsemi.com.

51700128. 11.0 10/16

Contents

1 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

1.10

1.11

Revision 11.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 10.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 9.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 8.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 7.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 6.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 5.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 4.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 3.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 2.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 1.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 IGLOO2 FPGA and SmartFusion2 SoC FPGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.1

2.2

2.3

Device Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.3.1

Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.3.2

Power Consumption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.3.3

Average Fabric Temperature and Voltage Derating Factors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.3.4

Timing Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2.3.5

User I/O Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

2.3.6

Logic Element Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

2.3.7

Global Resource Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

2.3.8

FPGA Fabric SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

2.3.9

Programming Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94

2.3.10 Math Block Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103

2.3.11 Embedded NVM (eNVM) Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104

2.3.12 SRAM PUF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105

2.3.13 Non-Deterministic Random Bit Generator (NRBG) Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

2.3.14 Cryptographic Block Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

2.3.15 Crystal Oscillator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107

2.3.16 On-Chip Oscillator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109

2.3.17 Clock Conditioning Circuits (CCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

2.3.18 JTAG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112

2.3.19 System Controller SPI Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

2.3.20 Power-up to Functional Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

2.3.21 DEVRST_N Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

2.3.22 DEVRST_N to Functional Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

2.3.23 Flash*Freeze Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

2.3.24 DDR Memory Interface Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120

2.3.25 SFP Transceiver Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120

2.3.26 SerDes Electrical and Timing AC and DC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121

2.3.27 SmartFusion2 Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123

2.3.28 CAN Controller Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

2.3.29 USB Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

2.3.30 MMUART Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129

2.3.31 IGLOO2 Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129

DS0128 Datasheet Revision 11.0

iii

Figures

Figure 1

Figure 2

Figure 3

Figure 4

Figure 5

Figure 6

Figure 7

Figure 8

Figure 9

Figure 10

Figure 11

Figure 12

Figure 13

Figure 14

Figure 15

Figure 16

Figure 17

Figure 18

Figure 19

Figure 20

Figure 21

Figure 22

Figure 23

High Temperature Data Retention (HTR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Timing Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Input Buffer AC Loading . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Output Buffer AC Loading . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Tristate Buffer for Enable Path Test Point . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Timing Model for Input Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

I/O Register Input Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Timing Model for Output/Enable Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

I/O Register Output Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

Input DDR Module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

Input DDR Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71

Output DDR Module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

Output DDR Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

LUT-4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

Sequential Module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

Sequential Module Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

Power-up to Functional Timing Diagram for SmartFusion2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

Power-up to Functional Timing Diagram for IGLOO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

DEVRST_N to Functional Timing Diagram for SmartFusion2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117

DEVRST_N to Functional Timing Diagram for IGLOO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

I2C Timing Parameter Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125

SPI Timing for a Single Frame Transfer in Motorola Mode (SPH = 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

SPI Timing for a Single Frame Transfer in Motorola Mode (SPH = 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131

DS0128 Datasheet Revision 11.0

Tables

Table 1

Table 2

Table 3

Table 4

Table 5

Table 6

Table 7

Table 8

Table 9

Table 10

Table 11

Table 12

Table 13

Table 14

Table 15

Table 16

Table 17

Table 18

Table 19

Table 20

Table 21

Table 22

Table 23

Table 24

Table 25

Table 26

Table 27

Table 28

Table 29

Table 30

Table 31

Table 32

Table 33

Table 34

Table 35

Table 36

Table 37

Table 38

Table 39

Table 40

Table 41

Table 42

Table 43

Table 44

Table 45

Table 46

Table 47

Table 48

Table 49

Table 50

IGLOO2 and SmartFusion2 Design Security Densities . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

IGLOO2 and SmartFusion2 Data Security Densities . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Recommended Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

FPGA Operating Limits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Embedded Operating Flash Limits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Device Storage Temperature and Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

High Temperature Data Retention (HTR) Lifetime . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Package Thermal Resistance of SmartFusion2 and IGLOO2 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Quiescent Supply Current Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

SmartFusion2 and IGLOO2 Quiescent Supply Current (V

= 1.2 V) – Typical Process . . . . . . . 12

Currents During Program Cycle, 0 °C < = T

<= 85 °C – Typical Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Currents During Verify Cycle, 0 °C <= T

<= 85 °C – Typical Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

SmartFusion2 and IGLOO2 Quiescent Supply Current (V

= 1.26 V) – Worst-Case Process . . 13

Average Junction Temperature and Voltage Derating Factors for Fabric Timing Delays . . . . . . . . 14

Inrush Currents at Power up, –40 °C <= T

<= 100 °C – Typical Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Timing Model Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Maximum Data Rate Summary Table for Single-Ended I/O in Worst-Case Industrial Conditions . 19

Maximum Data Rate Summary Table for Voltage-Referenced I/O in Worst-Case

Industrial Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Maximum Data Rate Summary Table for Differential I/O in Worst-Case Industrial Conditions . . . 20

Maximum Frequency Summary Table for Single-Ended I/O in Worst-Case Industrial Conditions . 20

Maximum Frequency Summary Table for Voltage-Referenced I/O in Worst-Case Industrial

Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Maximum Frequency Summary Table for Differential I/O in Worst-Case Industrial Conditions . . . 21

Input Capacitance, Leakage Current, and Ramp Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

I/O Weak Pull-up/Pull-down Resistances for DDRIO I/O Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances for MSIO I/O Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

I/O Weak Pull-up/Pull-down Resistances for MSIOD I/O Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Schmitt Trigger Input Hysteresis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

LVTTL/LVCMOS 3.3 V DC Recommended DC Operating Conditions (Applicable to MSIO I/O

Bank Only) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Input Voltage Specification (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . . . . 24

LVCMOS 3.3 V DC Output Voltage Specification (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . . . . . . 24

LVTTL 3.3 V DC Output Voltage Specification (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . . . . . . . . 24

LVTTL/LVCMOS 3.3 V AC Maximum Switching Speed (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . 24

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Receiver Characteristics for MSIO I/O Bank (Input Buffers) . . . . . . . . . . . 25

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Transmitter Characteristics for MSIO I/O Bank (Output and

Tristate Buffers) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

LVTTL/LVCMOS 3.3 V AC Test Parameter Specifications (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . 25

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Transmitter Drive Strength Specifications for MSIO I/O Bank . . . . . . . . . . 25

LVCMOS 2.5 V DC Recommended DC Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V DC Input Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V DC Output Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V AC Minimum and Maximum Switching Speed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V AC Calibrated Impedance Option . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V Receiver Characteristics (Input Buffers) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V Transmitter Characteristics for DDRIO Bank (Output and Tristate Buffers) . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V AC Test Parameter Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V Transmitter Drive Strength Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V Transmitter Characteristics for MSIO Bank (Output and Tristate Buffers) . . . . . . 28

LVCMOS 1.8 V DC Recommended Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

LVCMOS 1.8 V DC Input Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

LVCMOS 1.8 V DC Output Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

DS0128 Datasheet Revision 11.0

推荐资源

猫叫声模拟器电路

缺辅助触头的交流接触器应急接线

车胎漏气报警器

诺基亚 3610 手机故障维修实物彩图（2）

采用双向晶闸管的气体－烟雾报警电路

电脑主板电路图 815 4_59

红外线的无线延伸: 按照图上本人做了个用起来不错的啊...; zlql 无线连接

发表个220V输入，最大电压28V，最大电流3A的LED电源: 发表个220V输入，最大电压28V，最大电流3A的LED电源.(原理图、电路板）原理图上的部分器件参数不是很准确，这点朋友们要注意啊。曾有人25元成本小批量生产过这个电源。本帖最后由 tzl ......; tzl 电源技术

基于KW41Z的智能电力监测仪的设计结项篇: 本帖最后由传媒学子于 2017-7-24 19:37 编辑 static/image/hrline/2.gif （1）作品名称：基于NXP-KW41Z的智能电力监测仪的设计 static/image/hrline/2.gif （2）作品实现功能 ......; 传媒学子 NXP MCU

测试ce分辨率的程序: 我想做一个ce分辨率的程序，比如说当你从800*600调整成1024*768时，先测试一下显示器是否支持此分辨率，请问个位，这怎么个写法。...; allen30 嵌入式系统

电容篇: 电容篇 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表 ......; dianzijie5 单片机

MKW41Z512之MCUXpressoIDE_10.0.0_344环境小试牛刀: 本帖最后由微笑的鱼fish 于 2017-7-5 17:44 编辑官网下载网址：http://www.nxp.com/cn/products/m ... Z?&tab=In-Depth_Tab 打开后界面如下： 310620 步骤简要描述： 1.下载软件 2. ......; 微笑的鱼fish NXP MCU

新能源汽车频获政策利好锂电池仍是瓶颈

中国新能源汽车正处在由研发向真正的产业化发展迈进的过渡期，2012年伴随着新能源汽车政策规划等密集亮相，新能源汽车产业发展再次加速。回顾上半年，3月5日，科技部出台《电动汽车科技发展“十二五”专项规划》；4月18日，国务院常务会议讨论通过《节能与新能源汽车产业发展规划（2012-2020年）》；5月16日国务院常务会议研究通过促进节能产品消费的政策措施。这一系列政策为新能源汽车提速的...[详细]
穿越?去年7月已经有人知道Google要推出Nexus 7？

广受欢迎的“Ninja Unboxing” 节目放出了Nexus 7的相关视频，并由著名解说人George St-Pierre来扮演“Dr Paul”来开箱Nexus 7，以一种幽默方式来讲述忍者和平板之间发生的有趣故事。不过最有趣的是这段视频竟然是去年7月份时候放到Youtube上，是微软在去年就已经有这个念头了还是他们未卜先知不不得而知了。 ...[详细]
科学家造出芯片人体器官可代替动物进行药物试验

　　漂浮在瓶子里的人体器官是电影里科学家实验室的重要配置，而哈佛大学怀斯研究所的研究人员做得更精彩，他们在一个芯片上制造出器官：一个跟拇指驱动器(或者说跟拇指)差不多大小的装置，含有活体细胞，可模拟人体器官的活动。　　研究人员已经在芯片上制造出肺、肠、肾和骨髓。心脏正在研制过程中。这种装置会大大简化药物试验过程———当前这个过程既昂贵低效又会造成许多动物死亡———并有助于了解疾病是如何产生的。 ...[详细]
基于ATMEGA48单片机的仪表步进电机的细分控制原理及应用

　　仪表步进电机　　步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元件。在非超载的情况下，电机转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响，即给电机某相线圈加一脉冲信号，电机则转过一个步距角。这一线性关系的存在，加上步进电机只有周期性的误差而无累积误差等特点，使得在速度、位置等控制领域用步进电机来控制变得非常简单。虽然步进电机已被广泛地应用，但步进电机并不...[详细]
现场总线技术在邯钢高炉改造中的应用

邯钢4#高炉自1993年投产至今，外部设备严重老化，热风炉原有的PLC控制系统TDC3000也经常出现模板损坏和通讯中断事故，急需改造。考虑到热风炉设备较为分散，而现场总线技术正适合于这种分散的、具有通信接口的现场受控设备的系统，所以决定引入现场总线技术对热风炉进行改造。现场总线改造方案 1 现场总线现场总线的概念是随着微电子技术的发展，数字...[详细]
苹果宣布新一代iPad7月20日正式在中国上市

北京时间7月10日晚间消息，苹果宣布，新一代iPad(The New iPad)将于7月20日正式在中国大陆上市销售。　　WiFi版全新iPad将推出黑、白两种颜色，16GB 机型建议零售价为3688 元，32GB 机型为4488 元，64GB 机型为5288 元。WiFi+3G版全新iPad，建议零售价为16GB 机型4688元，32GB 机型5488 元，64GB机型6288元。　...[详细]
瑞萨电子推出新款超级结MOSFET

2012年6月21日，日本东京讯 — 瑞萨电子公司 (TSE: 6723)，高级半导体解决方案的主要供应商，今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管（超级结MOSFET）（注1），具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这一行业领先的低导通电阻和低栅极电压的组合平台，同时结合了快速体二极管的性能，使新...[详细]
单片机上的几种按键输入实现方法

按键作为一种简单实用的输入设备已经应用于各种单片机应用系统中，可谓是无处不在。但在不同的实用场合下所使用的按键也不尽相同。这里就对几种经常用到的按键及其使用方法进行介绍。 1、传统按键：传统按键是现在在各种电子设备中应用最为广泛的按键，可能它们的形状各有不同，但其控制方法却大同小异，利用按键是否按下的IO 电平状态变化来对其进行识别。这种按键如下图所示： 1）直接按键最简单的...[详细]
马云手机端野心:不屌小米欲比肩苹果安卓

时至今日，几乎所有人都认为，阿里巴巴在手机端的布局已经泯然众人矣——无甚创新，甚至在小米、360、盛大、百度、网易等的包抄下，显得略微的沉闷和保守。但是马云和阿里手机计划掌舵者的野心是不是就仅仅止步于与小米、奇虎之流抗衡呢？当然不是，这家最喜欢在新闻稿中提及“生态系统”的公司，依然没有泯灭其重构手机生态系统的野心，期望成为可以比肩苹果、安卓平台外的第三种力量。　　当然，这一切很难。在过去...[详细]
LED照明电路和系统级别优化分析

LED照明：最快一天之内即可完成基本电路设计　　半导体厂商也在纷纷涉足LED照明业务。LED的电源电路需要驱动器IC，很多半导体厂商都推出了多样化产品。在各厂商竞相提高驱动器IC的驱动能力及效率并实现更多功能的形势下，美国国家半导体（National Semiconductor）不仅使产品具备这些特点，而且降低了电源电路设计的难度。　　使用该公司面向电源电路等开发的在线设计辅助工具...[详细]
基于单片机的电动自行车速度与里程表设计

系统概述本系统由信号预处理电路、单片机AT89C2051、系统化LED显示模块、串口数据存储电路和系统软件组成。其中信号预处理电路包含信号放大、波形变换和波形整形。对待测信号进行放大的目的是降低对待测信号的幅度要求；波形变换和波形整形电路则用来将放大的信号转换成可与单片机相连的TTL信号；通过单片机的设置可使内部定时器T1对脉冲输入引脚T0进行控制，这样能精确地算出加到T0引脚的单位时间内检...[详细]
基于PCI总线接口卡的ARINC429总线数据仿真与采集系统

ARINC429总线是目前航空电子分各子系统之间最常用的通信总线之一，作为现代航空电子系统的“骨架”，一旦该总线系统或挂接的机载电子设备发生故障时，整个数据传输就会出现异常。为了快速诊断及排查故障点，429总线数据的仿真发送及采集显得尤为重要。本文提出一种基于AEC429-PCI-22／S5总线接口卡的ARINC429总线数据的仿真发送与采集系统，通过与机载电子设备点对点的数据收发，能够快速排查...[详细]
中国人为“上帝粒子”贡献了什么

7月4日这天的全球视频发布会一开始，欧洲原子研究中心主任，一位花白胡子老爷爷，就“卖了个萌”。 “今天是一个非常特殊的日子！第一次举行跨大洲的高能物理视频会议！”他对全世界的顶级物理学家表示，将要介绍一个特殊粒子的数据。但是他说，自己忘记这个粒子叫什么了。 “上帝粒子！”电脑前，好多中国科普爱好者不约而同叫了出来。大家都是因为“希格斯-玻色子”而守候在屏幕前它被认为是宇宙形成的关键，给予几...[详细]
科技领袖被指是现代强盗：不仅赚钱还想垄断

　　新技术大亨们参加各种技术和经济论坛，担任政治峰会嘉宾，频繁出现在杂志封面上，俨然公众崇拜的偶像。　　比尔·盖茨、拉里·佩奇、谢尔盖·布林、杰夫·贝佐斯、迈克尔·扎克伯格……在《福布斯》全球100大亿万富翁中，IT业大亨就占据了10人。他们都在短短十几年甚至几年时间内累积了上百亿美元的财富。这些新技术大亨们和工业化时代那些被称为“强盗大亨”的冷酷资本家有什么不同？　　这是一个有趣的事...[详细]
借助NASA宇航服科技学生发明体温调节衬衫

“阿波罗”衬衫看起来与普通衬衫并无二致，却暗藏玄机，它能够调节穿衣者的体温。　　你是否想过采取骑自行车这种环保而便捷的交通方式上下班，却又担心骑车会令你臭汗淋漓而最终作罢呢？综合外国媒体7月3日报道，近日美国麻省理工学院(MIT)的研究生们借用美国国家航空航天局（NASA）研发的体温控制技术，发明了一种体温调节衬衫，成功解决了上述难题。　　这个由麻省理工学院一帮研究生组成的名为“陆...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多