Datasheet> 器件分类 > 半导体> 嵌入式处理器和控制器> M2S150TS-FCS536

M2S150TS-FCS536: 产品描述ARM® Cortex®-M3 嵌入式 - 片上系统 (SoC) IC series FPGA - 150K 逻辑模块 166MHz 536-CSPBGA（16x16）; 产品类别半导体嵌入式处理器和控制器; 文件大小1MB，共141页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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M2S150TS-FCS536概述

ARM® Cortex®-M3 嵌入式 - 片上系统 (SoC) IC series FPGA - 150K 逻辑模块 166MHz 536-CSPBGA（16x16）

M2S150TS-FCS536规格参数

参数名称	属性值
类别
厂商名称	Microchip(微芯科技)
系列	SmartFusion®2
包装	托盘
架构	MCU，FPGA
核心处理器	ARM® Cortex®-M3
闪存大小	512KB
RAM 大小	64KB
外设	DDR，PCIe，SERDES
连接能力	CANbus，以太网，I²C，SPI，UART/USART，USB
速度	166MHz
主要属性	FPGA - 150K 逻辑模块
工作温度	0°C ~ 85°C（TJ）
封装/外壳	536-LFBGA，CSPBGA
供应商器件封装	536-CSPBGA（16x16）
I/O 数	293
基本产品编号	M2S150

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DS0128

Datasheet

IGLOO2 FPGA and SmartFusion2 SoC FPGA

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globally. Learn more at

www.microsemi.com.

51700128. 11.0 10/16

Contents

1 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

1.10

1.11

Revision 11.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 10.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 9.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 8.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 7.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 6.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 5.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 4.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 3.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 2.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Revision 1.0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 IGLOO2 FPGA and SmartFusion2 SoC FPGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.1

2.2

2.3

Device Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.3.1

Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.3.2

Power Consumption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.3.3

Average Fabric Temperature and Voltage Derating Factors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.3.4

Timing Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2.3.5

User I/O Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

2.3.6

Logic Element Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

2.3.7

Global Resource Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

2.3.8

FPGA Fabric SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

2.3.9

Programming Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94

2.3.10 Math Block Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103

2.3.11 Embedded NVM (eNVM) Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104

2.3.12 SRAM PUF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105

2.3.13 Non-Deterministic Random Bit Generator (NRBG) Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

2.3.14 Cryptographic Block Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

2.3.15 Crystal Oscillator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107

2.3.16 On-Chip Oscillator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109

2.3.17 Clock Conditioning Circuits (CCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

2.3.18 JTAG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112

2.3.19 System Controller SPI Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

2.3.20 Power-up to Functional Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

2.3.21 DEVRST_N Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

2.3.22 DEVRST_N to Functional Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

2.3.23 Flash*Freeze Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

2.3.24 DDR Memory Interface Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120

2.3.25 SFP Transceiver Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120

2.3.26 SerDes Electrical and Timing AC and DC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121

2.3.27 SmartFusion2 Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123

2.3.28 CAN Controller Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

2.3.29 USB Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

2.3.30 MMUART Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129

2.3.31 IGLOO2 Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129

DS0128 Datasheet Revision 11.0

iii

Figures

Figure 1

Figure 2

Figure 3

Figure 4

Figure 5

Figure 6

Figure 7

Figure 8

Figure 9

Figure 10

Figure 11

Figure 12

Figure 13

Figure 14

Figure 15

Figure 16

Figure 17

Figure 18

Figure 19

Figure 20

Figure 21

Figure 22

Figure 23

High Temperature Data Retention (HTR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Timing Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Input Buffer AC Loading . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Output Buffer AC Loading . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Tristate Buffer for Enable Path Test Point . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Timing Model for Input Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

I/O Register Input Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Timing Model for Output/Enable Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

I/O Register Output Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

Input DDR Module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

Input DDR Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71

Output DDR Module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

Output DDR Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

LUT-4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

Sequential Module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

Sequential Module Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

Power-up to Functional Timing Diagram for SmartFusion2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

Power-up to Functional Timing Diagram for IGLOO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

DEVRST_N to Functional Timing Diagram for SmartFusion2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117

DEVRST_N to Functional Timing Diagram for IGLOO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

I2C Timing Parameter Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125

SPI Timing for a Single Frame Transfer in Motorola Mode (SPH = 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

SPI Timing for a Single Frame Transfer in Motorola Mode (SPH = 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131

DS0128 Datasheet Revision 11.0

Tables

Table 1

Table 2

Table 3

Table 4

Table 5

Table 6

Table 7

Table 8

Table 9

Table 10

Table 11

Table 12

Table 13

Table 14

Table 15

Table 16

Table 17

Table 18

Table 19

Table 20

Table 21

Table 22

Table 23

Table 24

Table 25

Table 26

Table 27

Table 28

Table 29

Table 30

Table 31

Table 32

Table 33

Table 34

Table 35

Table 36

Table 37

Table 38

Table 39

Table 40

Table 41

Table 42

Table 43

Table 44

Table 45

Table 46

Table 47

Table 48

Table 49

Table 50

IGLOO2 and SmartFusion2 Design Security Densities . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

IGLOO2 and SmartFusion2 Data Security Densities . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Recommended Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

FPGA Operating Limits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Embedded Operating Flash Limits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Device Storage Temperature and Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

High Temperature Data Retention (HTR) Lifetime . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Package Thermal Resistance of SmartFusion2 and IGLOO2 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Quiescent Supply Current Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

SmartFusion2 and IGLOO2 Quiescent Supply Current (V

= 1.2 V) – Typical Process . . . . . . . 12

Currents During Program Cycle, 0 °C < = T

<= 85 °C – Typical Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Currents During Verify Cycle, 0 °C <= T

<= 85 °C – Typical Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

SmartFusion2 and IGLOO2 Quiescent Supply Current (V

= 1.26 V) – Worst-Case Process . . 13

Average Junction Temperature and Voltage Derating Factors for Fabric Timing Delays . . . . . . . . 14

Inrush Currents at Power up, –40 °C <= T

<= 100 °C – Typical Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Timing Model Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Maximum Data Rate Summary Table for Single-Ended I/O in Worst-Case Industrial Conditions . 19

Maximum Data Rate Summary Table for Voltage-Referenced I/O in Worst-Case

Industrial Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Maximum Data Rate Summary Table for Differential I/O in Worst-Case Industrial Conditions . . . 20

Maximum Frequency Summary Table for Single-Ended I/O in Worst-Case Industrial Conditions . 20

Maximum Frequency Summary Table for Voltage-Referenced I/O in Worst-Case Industrial

Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Maximum Frequency Summary Table for Differential I/O in Worst-Case Industrial Conditions . . . 21

Input Capacitance, Leakage Current, and Ramp Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

I/O Weak Pull-up/Pull-down Resistances for DDRIO I/O Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances for MSIO I/O Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

I/O Weak Pull-up/Pull-down Resistances for MSIOD I/O Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Schmitt Trigger Input Hysteresis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

LVTTL/LVCMOS 3.3 V DC Recommended DC Operating Conditions (Applicable to MSIO I/O

Bank Only) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Input Voltage Specification (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . . . . 24

LVCMOS 3.3 V DC Output Voltage Specification (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . . . . . . 24

LVTTL 3.3 V DC Output Voltage Specification (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . . . . . . . . 24

LVTTL/LVCMOS 3.3 V AC Maximum Switching Speed (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . . . 24

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Receiver Characteristics for MSIO I/O Bank (Input Buffers) . . . . . . . . . . . 25

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Transmitter Characteristics for MSIO I/O Bank (Output and

Tristate Buffers) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

LVTTL/LVCMOS 3.3 V AC Test Parameter Specifications (Applicable to MSIO I/O Bank Only) . . 25

LVTTL/LVCMOS 3.3 V Transmitter Drive Strength Specifications for MSIO I/O Bank . . . . . . . . . . 25

LVCMOS 2.5 V DC Recommended DC Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V DC Input Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V DC Output Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V AC Minimum and Maximum Switching Speed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V AC Calibrated Impedance Option . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

LVCMOS 2.5 V Receiver Characteristics (Input Buffers) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V Transmitter Characteristics for DDRIO Bank (Output and Tristate Buffers) . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V AC Test Parameter Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V Transmitter Drive Strength Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

LVCMOS 2.5 V Transmitter Characteristics for MSIO Bank (Output and Tristate Buffers) . . . . . . 28

LVCMOS 1.8 V DC Recommended Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

LVCMOS 1.8 V DC Input Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

LVCMOS 1.8 V DC Output Voltage Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

DS0128 Datasheet Revision 11.0

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2012信息化新疑点：医疗大数据也是谎言?

　　关于大数据的“惊天谎言”一直传闻不休。无论你走到哪里，都无处不在。在Google搜索这个词组，搜索结果超过13亿条。它甚至在维基百科拥有专门的条目。来自全球第一大应用软件商SAP公司的CTO提出观点。文中从专业的角度分析了大数据的处理方式，并通过comScore 和Airtel Vodafone公司为例说明了大数据的使用方法和方案。　　《福布斯》杂志发表了一篇题为《大数据是个大谎言》的...[详细]
嵌入式-ARM寄存器基本概念

无论是学习哪一种处理器，首先需要明确的就是这种处理器的寄存器以及工作模式。 ARM有37个寄存器，其中31个通用寄存器，6个状态寄存器。这里尤其要注意区别的是ARM自身寄存器和它的一些外设的寄存器的区别。 ARM自身是统一架构的，也就意味着37个寄存器无论在哪个公司的芯片里面都会出现。但是各家公司会对ARM进行外设的扩展，所以就出现了好多外设寄存器，一定要与这37个寄存器区别开来!!...[详细]
基于FPGA的汽车视频和图形控制系统设计

LCD显示器真是无处不在，在家庭、超市、体育馆以及汽车内你都可以见到它们的身影。无疑车载LCD显示系统是增长最快的市场。增长的动力包括：不断下降的显示器价格、不断提升的用户体验、更多的产品性能以及车内消费类产品的集结。典型的图形显示系统一般都是利用标准的特殊应用标准处理器(ASSP)或者定制的特殊应用集成电路(ASIC)作为控制器来构建的。但汽车图形设计师在利用这些器件构建系统时遭...[详细]
美丽与坚强的碰撞索尼ST27i三防测试

　　索尼智能手机Xperia go ST27i是一款时尚运动型智能手机，不仅具备典型日系风格的外部造型，并加入强大的三防特点。而3.5寸的电容屏，搭配1GHz双核处理器，并承载512MBRAM 以及8GB ROM，使小巧的它更具魅力。大家是否和我一样，想看看这美丽外表下，有着怎样的坚强？那就跟着小编一起来吧！　　小编带着索尼ST27i ( 参数报价论坛...[详细]
搭载高通骁龙S4 三星首款WP8手机曝光

虽然对WP7.X不感冒，但是对WP的带来三星还是表现出了相当大的兴趣。而现在就有媒体从三星服务器上的一份用户Da1L1设置文件发现了一款型号为SGH-i687终端。　　有消息称，这款SGH-i687将会是Focus 2(SGH-i667)的升级版即Focus 3，其内置有IE10浏览器，运行的是的WP8系统，不过配备的仅是一块480×800像素触摸屏。　　此外，还有消息人士爆料称，...[详细]
智能机出货价跌破300元:不支持3G和视频通话

　没有最低，只有更低，这难道是手机江湖的不二法则吗？而现在，连智能手机也羞羞答答报出了“白菜价”。　　在车公庙和部分3C电商网站，南都记者看到一款名为小蜜蜂的手机，出货定价299元，刷新了目前智能机市场的新低。记者在配置表上看到，这款型号为IOCO i9900的3.2英寸电容触屏机主频为1G，MTK 6515智能平台赫然在列，android2.3操作系统也是如假包换，WIFI、双卡双待也...[详细]
深度阅读：中国“苹果教”的两极

拂晓刚至，大大小小的鸡蛋掷到苹果专卖店的落地窗上。这是北京三里屯的太古广场，全落地玻璃装饰的苹果旗舰店异常显眼。1月的北京非常冷，数百人拥挤在店外，在寒冬等待了整整一个晚上。然而，他们并不是新发布的iPhone 4S手机的狂热买家，也不是来示威抗议苹果代工厂的恶劣用工环境的。他们只是为了15美元报酬而来的民工。他们将买到的iPhone手机转手交给黄牛，黄牛随后便能以高价转卖这些手机以获利润。...[详细]
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　一、引言　　在电源转换领域，输出直流电压不高的隔离式转换器（正激式、回扫式、双端式）都使用 MOSFET作为整流器件。由於这些器件上的导通损耗较小，能够提高效率，因而应用越来越广泛。　　为了这种电路能够正常运作，必须对同步整流器（SR）加以控制，这是基本的要求。同步整流器是用来取代二极管的，所以必须选择适当的方法，按照二极管的工作规律来驱动同步整流器。驱动信号必须用PWM控制信号来形成...[详细]
Avago推出新系列光学隔离电压传感器产品

【2012年7月11日】通信和工业应用模拟接口零部件主要供应商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)，今天宣布推出新系列光学隔离电压传感器产品，这个系列为业内第一个采用特别面向电压感应优化Sigma-Delta调制技术的光隔离放大器产品，目标应用包括常见于电机驱动、开关电源和可再生能源系统中电子功率转换系统的电压感应，以及IGBT模块中NTC热敏电阻隔离的传感器接口，...[详细]
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OLED面板因为具有色彩鲜艳、厚度小、响应速度快等优点，被业界普遍认为是下一代电视技术的发展方向。近来，面板制造商们都加快了OLED推出的步伐，同时业界预测，OLED电视机的销量在未来几年将有大幅度的提高。调研数据显示，2015年全球OLED彩电的销量很可能超过960万台，比预计提前两年冲上千万台目标。面对广阔的前景，韩国、日本等国家的电子巨头都发出了强力跟进OLED的信号。今年初举行的美...[详细]
基于ATMEGA48单片机的仪表步进电机的细分控制原理及应用

　　仪表步进电机　　步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元件。在非超载的情况下，电机转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响，即给电机某相线圈加一脉冲信号，电机则转过一个步距角。这一线性关系的存在，加上步进电机只有周期性的误差而无累积误差等特点，使得在速度、位置等控制领域用步进电机来控制变得非常简单。虽然步进电机已被广泛地应用，但步进电机并不...[详细]
高侧电流传感器AD8205及其应用电路设计

　　AD8205是美国模拟器件公司推出的一种单电源高性能差分放大器，典型单电源供电电压为5V，其共模电压输入范围为-2~65V，可以耐受-5~+70V的输入共模电压，适用于高共模电压情况下检测小差分电压的工业设备中。它的增益固定为50V/V，工作温度范围为-40~+125℃，失调电压温漂小于15mV/℃，增益温漂小于30ppm/℃(环境温度可高达125℃)，在整个规定温度范围内具有优良的...[详细]
两个标准电池对比的应用实例

　　标准电池是很多电学标准实验室用作电压参考标准的电化学电池。如果处理得当，标准电池是非常稳定的。单个电池电压的当前值是与一个已知的参考标准进行比对，从一系列测得的电压差中计算出来的。　　由于单个电池之间的电压差可能只有几个微伏，所以进行精密测量就需要使用纳伏表和低电压测量技术。下面的应用实例说明比较两个标准电池以及将标准电池和精密电压参考标准进行比较的情况。　　比较两个标准...[详细]
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为了确保自己未来的成功，以希捷和西部数据为首的硬盘厂商们正在寻求产品多样化的出路，加大对面向云计算及社交领域的存储解决方案的投资。整体HDD产业的营业收入与利润目前远高于2011年10月泰国发生洪灾的时候，面对产品同质商品化与面密度不断增长挑战的HDD厂商，得到了喘息机会。希捷与西部数据的毛利率与营业利润率最近两个季度大幅上升，自去年上半年以来提高了一倍以上。希捷与西部数据是三大硬盘厂商中...[详细]
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C114讯 7月10日下午消息（刘定洲）小米科技CEO雷军今日在出席台北举办的2012创业年会时表示，今年上半年小米手机已经销售了300万台，全年销售600万台几乎没有悬念。雷军称，小米手机拥有270万粉丝和170万网络发烧友参与开发改进系统。对于小米手机价格，雷军表示中国内地各种城市附加税教育税等税率约为19.8%，除税后小米手机真正售价约为1600元人民币，比国际一线品牌更具竞争力。...[详细]

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