Datasheet> 器件分类 > 半导体> 存储器> MT45W2MW16PGA-70 WT TR

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MT45W2MW16PGA-70 WT TR: 产品描述PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 32Mb（2M x 16）并联 48-VFBGA（6x8）; 产品类别半导体存储器; 文件大小732KB，共26页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT45W2MW16PGA-70 WT TR概述

PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 32Mb（2M x 16）并联 48-VFBGA（6x8）

MT45W2MW16PGA-70 WT TR规格参数

参数名称	属性值
类别
厂商名称	Micron Technology
包装	卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®
存储器类型	易失
存储器格式	PSRAM
技术	PSRAM（伪 SRAM）
存储容量	32Mb（2M x 16）
存储器接口	并联
写周期时间 - 字，页	70ns
电压 - 供电	1.7V ~ 1.95V
工作温度	-30°C ~ 85°C（TC）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	48-VFBGA
供应商器件封装	48-VFBGA（6x8）
访问时间	70 ns
基本产品编号	MT45W2MW16

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Features

Async/Page CellularRAM™ 1.0 Memory

MT45W2MW16PGA

Features

• Asynchronous and page mode interface

• Random access time: 70ns

• V

, V

Q voltages:

–

1.7–1.95V V

–

1.7–3.6V V

• Page mode read access:

–

16-word page size

–

Interpage read access: 70ns

–

Intrapage read access: 20ns

• Low power consumption:

–

Asynchronous READ: <20mA

–

Intrapage READ: <15mA

–

Standby: <110µA

–

Deep power-down: <10µA (TYP at 25°C)

• Low-power features:

–

Temperature-compensated refresh (TCR)

–

On-chip temperature sensor

–

Partial-array refresh (PAR)

–

Deep power-down (DPD) mode

Figure 1:

48-Ball VFBGA Ball Assignment

LB#

OE#

ZZ#

DQ8

UB#

CE#

DQ0

DQ9

DQ10

DQ1

DQ2

VssQ

DQ11

A17

DQ3

Vcc

VccQ

DQ12

A16

DQ4

Vss

DQ14

DQ13

A14

A15

DQ5

DQ6

DQ15

A19

A12

A13

WE#

DQ7

A18

A10

A11

A20

Options

Designator

• Configuration

• 2 Meg x 16

MT45W2MW16P

• Package

• 48-ball VFBGA (green)

• Access time

• 70ns

–70

• Operating temperature range

• Wireless (–30°C to +85°C)

• Industrial (–40°C to +85°C)

Notes: 1. –30°C exceeds the CellularRAM Workgroup

1.0 specification of –25°C.

Top View

(Ball Down)

Part Number Example:

MT45W2MW16PGA-70WT

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24z_1.fm - Rev. B 5/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Options . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Functional Block Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Part-Numbering Information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Valid Part Number Combinations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Device Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Power-Up Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Bus Operating Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Asynchronous Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Page Mode READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

LB#/UB# Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Low-Power Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Standby Mode Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Temperature-Compensated Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Partial-Array Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Deep Power-Down Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Configuration Register Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Access Using ZZ# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access to the Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Maximum and Typical Standby Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

Figure 13:

Figure 14:

Figure 15:

Figure 16:

Figure 17:

Figure 18:

Figure 19:

Figure 20:

Figure 21:

Figure 22:

Figure 23:

Figure 24:

48-Ball VFBGA Ball Assignment. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Functional Block Diagram 2 Meg x 16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Part Number Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Power-Up Initialization Timing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

WRITE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Page READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Software Access PAR Functionality. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Load Configuration Register Operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Software Access Read Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Configuration Register Bit Mapping. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Typical Refresh Current vs. Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

AC Input/Output Reference Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Output Load Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

Power-Up Initialization Period . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Deep Power-Down Entry and Exit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Single READ Operation (WE# = V

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Page Mode READ Operation (WE# = V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

WRITE Cycle (WE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

WRITE Cycle (CE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

WRITE Cycle (LB#/UB# Control). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

48-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

VFBGA Ball Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

32Mb Address Patterns for PAR (CR[4] = 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Electrical Characteristics and Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Partial-Array Refresh Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Deep Power-Down Specifications and Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Capacitance Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

READ Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

WRITE Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Load Configuration Register Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Deep Power-Down Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Initialization Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

General Description

Micron

CellularRAM™ products are high-speed, CMOS PSRAM memories developed

for low-power, portable applications. The MT45W2MW16P is a 32Mb DRAM core device

organized as 2 Meg x 16 bits. These devices include the industry-standard, asynchronous

memory interface found on other low-power SRAM or pseudo-SRAM offerings.

A user-accessible configuration register (CR) defines how the CellularRAM device

performs on-chip refresh and whether page mode read accesses are permitted. This

updated at any time during normal operation.

For seamless operation on an asynchronous memory bus, CellularRAM products incor-

porate a transparent self-refresh mechanism. The hidden refresh requires no additional

support from the system memory controller and has no significant impact on device

read/write performance.

Special attention has been focused on current consumption during self refresh. Cellu-

larRAM products include three system-accessible mechanisms to minimize refresh

current. Temperature-compensated refresh (TCR) uses an on-chip sensor to adjust the

refresh rate to match the device temperature. The refresh rate decreases at lower

temperatures to minimize current consumption during standby. Setting sleep enable

(ZZ#) to LOW enables one of two low-power modes: partial-array refresh (PAR) or deep

power-down (DPD). PAR limits refresh to only that part of the DRAM array that contains

essential data. DPD halts refresh operation altogether and is used when no vital infor-

mation is stored in the device. The system-configurable refresh mechanisms are

accessed through the CR.

Functional Block Diagram

Figure 2:

Functional Block Diagram 2 Meg x 16

A[20:0]

Address Decode

Logic

2,048K x 16

DRAM

Memory

Array

Configuration

Input/

Output

MUX

and

Buffers

DQ[7:0]

DQ[15:8]

CE#

WE#

OE#

UB#

LB#

ZZ#

Control

Logic

Note:

Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See ball description table,

bus operations table, and timing diagrams for detailed information.

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

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锤子将于5月15日在北京发布神秘手机坚果R1，据罗永浩放出新机价格将卖超6000元、新机比竞争对手好不止50%、劝别人等R1发布之后再换手机等言论为其预热外，最近罗永浩又开始透露坚果R1的闪存了。有用户微博@罗永浩以及坚果手机官微，问5月15日发布的坚果R1有没有白色机身闪存为256GB版本的，没想到罗永浩居然回复了，并称坚果R1不仅有256GB版本的，还有数倍于256GB的，让人不禁遐想...[详细]
锤子科技骁龙845旗舰命名确认：坚果R1

　　很早之前，罗永浩便向外界宣布，锤子科技将在5月15日北京鸟巢举行革命性的新品发布会，并且会发布革命性产品“R1”，罗永浩还表示参加鸟巢开万人发布会请准备纸尿裤。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。锤子骁龙845 旗舰命名确认竟然是坚果R1 　　既然是旗舰产品，大家都认为应该当属于锤子系列的新机，因此大家也称这款全新的旗舰为锤子R1，让人怀疑的是，既然是锤子系列...[详细]
美国调查华为半导体巨头集体打摆子

　　据《华尔街日报》报道，美国司法部正就华为公司是否违反了与伊朗相关的制裁令对其展开调查，这为美国以国家安全担忧为由对华为展开审查开辟了一条新途径。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　目前还不清楚美国司法部的调查推进到了何种程度，也不知道联邦探员因为哪一具体指控对华为展开调查。　　知情人士称，在美国司法部对华为展开刑事调查前，美国商务部、财政部下属海外资产控制办公室...[详细]
从中兴到华为，中美贸易战进一步扩大

　　美国对中国发起贸易战并将战火扩大到全球，目前已经开始影响到科技领域的一些企业。在德国汉诺威工博会的开幕式上，德国总理默克尔强调只有开放的市场环境才能取得经济繁荣发展，德国与墨西哥希望通过一个开放的环境来推动资源的优势互补，并获得更好的经济增长。贸易战对全球经济带来影响是负面的，包括美国科技企业也是深受其害，但美国似乎并没有因此而收手。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　美...[详细]
法国LETI加速5G研究计划

由法国Leti、德国Fraunhofer、瑞士CSEM和芬兰VTT等欧洲四家主要研究机构共同组成的HTA日前举行十周年活动。四家研究机构并与业界合作伙伴共同展示欧洲未来开发电子产品的策略方案与愿景。由欧洲四家微电子研究机构组成的异质技术联盟(Heterogeneous Technology Alliance；HTA)日前于布鲁塞尔庆祝十周年的活动。联盟成员之一的法国电子暨资讯技术实验室(L...[详细]
诺基亚一季度亏损3.51亿欧元同比有所收窄

新浪科技讯北京时间4月26日下午消息，芬兰企业诺基亚周四发布了2018年第一季度财报。财报显示，该公司第一季度亏损3.51亿欧元（或每股0.06欧元），相比去年同期的4.73亿欧元（或每股0.08欧元）有所收窄。该公司第一季度调整后的可归属利润为8600万欧元（每股0.02欧元）。去年同期该公司调整后的可归属利润为1.96亿欧元（每股0.03欧元）。净销售方面，该公司第一季度净销售额相...[详细]
泰瑞达与MiR联合宣布泰瑞达收购协作自主工业机器人领先者Mi

美国马萨诸塞州北瑞丁和丹麦奥登塞 — 2018年4月25日 — 泰瑞达（纽交所：TER）和Mobile Industrial Robots (MiR)的股东今日联合宣布，丹麦奥登塞的私人持有公司MiR的收购价为现金净额1.21亿欧元（1.48亿美元），此外，如果到2020年能达到若干业绩目标，还将另加1.01亿欧元（按目前汇率折合1.24亿美元）。 MiR是领先的协作自主移动机器人（...[详细]
iPhone高价助攻全球Q1智能机ASP达374美元

研调指出，今年首季全球销售3.47亿支智能机，销售量虽年减2%，但受到iPhone身价水涨船高推动，智能机平均售价(ASP)年增21%，达374美元，带动全球首季智能机营收成长18%。国外科技网站Appleinsider报导，德国研究机构GfK估计，今年首季全球智能机需求年减2%，但平均销售价格上涨21%，今年首季全球销售出3.47亿支智能手机，虽然单位销售量比去年同期下降，但“消费者倾向...[详细]
未来五年全球光伏逆变器市场将呈现负增长

根据GlobalData的数据，由于价格下跌，全球光伏逆变器市场将从2017年的63亿美元缩减至2022年的37亿美元。　　2022年全球光伏逆变器市场价值将缩减至37亿美元　　根据市值，从2017年到2022年，市场将呈现10.15%的负年复合增长率。同时，2018-2022年的总装机容量将接近370.6吉瓦，高于2012年至2017年的316.2吉瓦。　　“各种原因包括但不限...[详细]
自平衡MIP机器人已准备就绪

Ben Coxworth Self-balancing P robot is rey to roll MiP balances on two wheels， using the mobile inverted pendulum principle Image Gallery （2 images） You may never be able to afford your own ...[详细]
帮企业进行EMI、低功耗、射频性能等测试世强实验室

很多公司发现他们的电子产品在批量生产前常常栽倒在最后一关，即符合EMC要求。符合EMC标准的结果在设计上是可控的，能够做出规划。只要解决EMI就能完美化解这一难题。但对于很多的中小微创企业而言，在产品没有量产前就靠自己去购买示波器等仪器来进行检测，性价比是极低的，而且没有专业资深的技术专家提供技术支持，靠自己的去摸索检测往往也要浪费掉大量的时间。所以，大量的中小企业选择专业的测试测量实验室...[详细]
应用多元物联网LPWAN走向双模设计

物联网对于低功耗的需求向来旺盛，由于物联网产品传输的数据量无须大量，但须能定时传递，所以低耗能相当重要，因而促使低功耗广域网技术(LPWAN)的诞生，有趣的是，一般人提到诸如NB-IoT、LoRa与Sigfox等LPWAN技术，皆会直觉认定它们只存在着竞争关系;对此意法半导体产品营销经理杨正廉表示，现在已有厂商采取「双模式」做法。杨正廉以LoRa与Sigfox为例指出，这两大技术的应用...[详细]
G6DN系列典型应用：PLC输出靠继电器触点控制

近年来，随着科技的日新月异，许多行业都开始了从全球制造向全球“智造”的转变，工业自动化市场成为全世界各国经济持续发展的重要根据地，迅速扩张的市场规模，对应用于工业自动化行业的电子继电器提出了新的需求。欧姆龙在这一背景下，欧姆龙电子部件公司新推出的G6DN系列继电器，以小巧纤薄、高效稳定的优势，赢得了众多企业客户的青睐，成为工业自动化行业电子继电器的首选。 G6DN系列典型应用：...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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